Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету
КМОП-технология
Документи:
- Автоэмиссия из наноструктур на основе карбида кремния и влияние на нее образующихся субоксидных SiO_x-покрытий. I. Конструктивно-технологичесчкие особенности SiC-микрокатодов [Текст] / П. Г. Бобовников, А. С. Ермаков, И. В. Матюшкин [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2013. – № 4. – С. 3-12.
- Борисов, С. А. Методика построения высокочастотной малосигнальной модели МОП-транзистора [Текст] / С. А. Борисов, А. С. Коротков // Известия вузов. Радиоэлектроника. – 2010. – Т. 53, № 7. – С. 21-30.
- Еременко, А. Н. Использование двухмерного приборно-технологического моделирования для разработки и оптимизации технологии изготовления КМОП [Текст] / А. Н. Еременко, Н. А. Зайцев, И. М. Романов // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2003. – № 4. – 44-48.
- Кононов, В. Радиационно-стойкие 12-16-бит КМОП-КНИ-АЦП с автоматической калибровкой [Текст] / В. Кононов // Электронные компоненты. – 2016. – № 5. – С. 70-71.
- Королев, М. А. Исследование влияния конфигурации области стока на пробивное напряжение планарного МОП-транзистора [Текст] / М. А. Королев, А. Ю. Красюков, Р. Д. Тихонов // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2003. – № 1. – 37-41.
- Анализ характеристик субмикронных МДП-транзисторов с периодическим легированием канала для предельных температурных режимов работы [Текст] / А. А. Краснюк, О. М. Орлов, Э. Ф. Имаметдинов, Е. В. Марьина // Микроэлектроника. – 2015. – Т. 44, № 4. – С. 263-268.
- Рева, В. П. Проектирование схемы считывания для матриц ИК-фотодиодов среднего диапазона длин волн [Текст] / В. П. Рева, Ф. Ф. Сизов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2004. – № 6. – 56-60.
- Учет направления поляризации лазерного излучения при моделировании эффектов локальной ионизации в современных интегральных схемах [Текст] / П. К. Скоробогатов, А. В. Согоян, Г. Г. давыдов [и др.] // Микроэлектроника. – 2015. – Т. 44, № 1. – С. 28-33.
|
