| |
Анализ характеристик субмикронных МДП-транзисторов с периодическим легированием канала для предельных температурных режимов работы [Текст] / А. А. Краснюк, О. М. Орлов, Э. Ф. Имаметдинов, Е. В. Марьина
// Микроэлектроника. – 2015. – Т. 44, № 4. – С. 263-268.
Метод периодически легированного канала первоначально рассматривался как приложение для транзисторных структур на органических полупроводниках. Однако возможности модуляции проводимости канала в КМОП-транзисторах представляют значительный интерес для высокотемпературной микроэлектроники. |
