• Класифікатори
• Я

яма квантова, яма квантовая

Підтеми:

• яма квантовая InGaAs/(AI)GaAs

Документи:

• Абсалан, Х. Моделирование широкополосного нанобиосенсора на основе луковичной структуры квантовая точка-квантовая яма [Текст] / Х. Абсалан, А. СалманОглы, Р. Ростами // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 7. – С. 674-678.
• Волноводный эффект квантовых ям в полупроводниковых лазерах [Текст] / В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов [и др.] // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 5. – С. 401-406.
• Многопериодная структура для фонтанного режима генерации униполярного лазера [Текст] / Ю. А. Алещенко, В. В. Капаев, Ю. В. Копаев [и др.] // Квантовая электроника. – 2010. – Т. 40, № 8. – С. 685--690.
• Оптимизация оптических свойств длинноволнового лазерного диода на квантовой яме GaInNAs [Текст] / М. С. Альяс, А. Н. Аль-Омари, Ф. Маскурий [и др.] // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 11. – С. 1009-1013.
• Бекин, Н. А. Стимулированное излучение на примесно-зонных оптических переходах в полупроводниках. [Текст] / Н. А. Бекин, В. Н. Шастин // Квантовая электроника. – 2015. – Т. 45, № 2. – С. 105-112.
• Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGa/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов [Текст] / П. В. Булаев, О. И. Говорков, Т. Д. Залевский [et al.] // Квантовая электроника. – 2002. – 32, № 3. – 216-218.
• Грушко, Н. С. Определение механизма токопереноса в p-n-переходах по анализу температурной зависимости прямых вольт-амперных характеристик [Текст] / Н. С. Грушко, А. В. Лакалин, А. И. Сомов // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2007. – № 2. – 35-40.
• Непрерывные мощные лазерные линейки спектрального диапазона 750-790 нм [Текст] / Н. С. Дегтярева, С. А. Кондаков, Г. Т. Микаелян [и др.] // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 6. – С. 509-511.
• Жуков, А. Е. Полупроводниковые лазеры на основе квантовых точек для систем оптической связи [Текст] / А. Е. Жуков, А. Р. Ковш // Квантовая электроника. – 2008. – 38, № 5. – 409-423.
• Жуков, В. А. Туннельный полевой транзистор на квантовой яме, образованной тремя слоями производных графена (СОН)_n-(CF)_n-(CH)_n, и со стоком из среднего слоя-(CF)_n [Текст] / В. А. Жуков, В. Г. Маслов // Микроэлектроника. – 2015. – Т. 44, № 2. – С. 108-119.
• Засавицкий, И. И. Схемы активной области в квантовых каскадных лазерах [Текст] / И. И. Засавицкий // Квантовая электроника. – 2012. – Т. 42, № 10. – С. 863-873.
• Уширение и расщепление спектров излучения квантового лазера на основе GaInAs/AlInAs в квантующем магнитном поле [Текст] / И. И. Засавицкий, Д. А. Пашкеев, Е. В. Бушуев, Г. Т. Микаелян // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 2. – С. 144-146.
• Квантовый каскадный лазер, получаемый методом МОС-гидридной эпитаксии [Текст] / И. И. Засавицкий, Д. А. Пашкеев, А. А. Мармалюк [и др.] // Квантовая электроника. – 2010. – Т. 40, № 2. – С. 95-97.
• Дисковый полупроводниковый лазер на гетероструктуре Zn(Cd)Se/ZnMgSSe с накачкой электронным пучком [Текст] / В. И. Козловский, П. И. Кузнецов, Д. Е. Свиридов, Г. Г. Якущева // Квантовая электроника. – 2012. – Т. 42, № 7. – С. 583-587.
• Крамар, В. М. Енергетичний спектр електрона з фононними повтореннями у плоскій напівпровідниковій наногетероструктурі з квантовою ямою [Текст] / В. М. Крамар, М. В. Ткач // Український фізичний журнал. – 2010. – Т. 55, № 6. – С. 726-732.
• Диагностика тонкого спектра в квантовой яме лазерных гетероструктур ультразвуковой деформацией [Текст] / Л. А. Кулакова, Н. С. Аверкиев, А. Н. Даринский, Э. З. Яхкинд // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 5. – С. 410-413.
• Лев, С. Б. Магнітна залежність енергетичного спектра та інтенсивності переходів екситонів у напівмагнітних напівпроводниках з подвійними квантовими ямами [Текст] / С. Б. Лев, В. Й. Сугаков // Український фізичний журнал. – 2002. – 47, № 4. – 402-406.
• Лисенко, Г. Л. Модель поглинання випромінювання для оптоелектронного напівпровідникового транспаранта з двохвильовим керуванням [Електронний ресурс] / Г. Л. Лисенко, І. В. Мялківська // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. – 2014. – № 1. – С. 73-80.
• Лисенко, Г. Л. Модель поглинання випромінювання для оптоелектронного напівпровідникового транспаранта з двохвильовим керуванням [Текст] / Г. Л. Лисенко, І. В. Мялківська // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. – 2014. – № 1. – С. 73-80.
• Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs ([ламбда] = 808 нм) с повышенной температурной стабильностью [Текст] / А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, А. Ю. Андреев [и др.] // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 10. – С. 895-897.
• Універсальне програмне середовище для дослідження та моделювання квантово-розмірних гетеронаноструктур [Текст] / А. В. Поплавський, І. А. Іванов, О. А. Іванов, Н. С. Чертова // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. – 2010. – № 2. – С. 151-155.
• Закономерности изменения внешней квантовый эффективности InGaN/GaN зеленых светодиодов в процессе ускоренных испытаний [Текст] / В. А. Сергеев, И. В. Фролов, А. А. Широков, О. А. Радаев // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2017. – Т. 21, № 3. – С. 220-230.
• Пороговые характеристики полупроводникового лазера на квантовых ямах: учёт глобальной электронейтральности структуры [Текст] / З. Н. Соколова, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян // Квантовая электроника. – 2016. – Т. 46, (9). – С. 777-781.
• Соколова, З. Н. Пороговые характеристики полупроводниковых лазеров при нарушении электронейтральности в квантовых ямах [Текст] / З. Н. Соколова, И. С. Тарасова, Л. В. Асрян // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 5. – С. 428-432.
• Соколова, З. Н. Расчет мощных характеристик полупроводниковых лазеров с квантовыми ямами при одновременном учете электронов и дырок [Текст] / З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян // Квантовая электроника. – 2014. – Т. 44, № 9. – С. 801-805.
• Сугаков, В. Й. Конденсація екситонів у квантових ямах. Самоорганізація проти бозе-конденсації [Текст] / В. Й. Сугаков // Український фізичний журнал. – 2011. – Т. 56, № 10. – С. 1131-1140.
• Сугаков, В. Й. Формування конденсованих фаз екситонів у подвійних квантових ямах за наявності зовнішнього гармонійного потенціалу [Текст] / В. Й. Сугаков, В. В. Томилко, А. А. Чернюк // Український фізичний журнал. – 2011. – Т. 56, № 5. – С. 492-497.
• Ушаков, Д. В. Эффективность генерации квантоворазмерных GaInAs/GaAs-лазеров при неоднородном возбуждении квантовых ям [Текст] / Д. В. Ушаков, А. А. Афоненко, В. Я. Алешкин // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 11. – С. 999-1002.
• Яременко, Н. Г. Фотолюминесцентная спектроскопия односторонне легированные структур n-AlGaAs/GaAs с квантовыми ямами [Текст] / Н. Г. Яременко, М. В. Карачевцева, В. А. Страхов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2012. – № 1. – С. 3-13.
• Динамика накопления неравновесных дырок в квантовых ямах гетероструктур n-AlGaAs/GaAs [Текст] / Н. Г. Яременко, В. А. Страхов, М. В. Карачевцева, Ю. В. Федоров // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2016. – № 4. – С. 301-308.
• Яцун, К. С. Модифікація активної області резонансно-тунельного діоду [Текст] / К. С. Яцун // Радіотехніка. – 2021. – № 205. – С. 108-112.