| |
Динамика накопления неравновесных дырок в квантовых ямах гетероструктур n-AlGaAs/GaAs [Текст] / Н. Г. Яременко, В. А. Страхов, М. В. Карачевцева, Ю. В. Федоров
// Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2016. – № 4. – С. 301-308.
Исследовано влияние эффективности захвата неравновесных дырок на процесс накопления носителей с ростом фотовозбуждения в квантовых ямах гетероструктур n-AlGaAs/GaAs. Показано, что зависимость отношения интенсивностей фотолюминесценции из квантовой ямы и из барьерных слоев от ширины ямы имеет осциллирующий характер. |
