| |
Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs ([ламбда] = 808 нм) с повышенной температурной стабильностью [Текст] / А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, А. Ю. Андреев [и др.]
// Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 10. – С. 895-897.
Методом МОС-гибридной эпитаксии выращены две серии лазерных гетероструктур AlGaAs/GaAs и исследованы изготовленные из них линейки лазерных диодов, излучающие на длине волны 808 нм. |
