Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету

ПРАВИЛА КОРИСТУВАННЯ ЕК
          Жуков, В. А.
    Туннельный полевой транзистор на квантовой яме, образованной тремя слоями производных графена (СОН)_n-(CF)_n-(CH)_n, и со стоком из среднего слоя-(CF)_n [Текст] / В. А. Жуков, В. Г. Маслов
    // Микроэлектроника. – 2015. – Т. 44, № 2. – С. 108-119.

   Рассмотрен вариант туннельного полевого нанотранзистора на квантовой яме, в котором управляющее напряжение 0,6 В прикладывается к окружающим яму барьерам, а сток электронов происходит из квантовой ямы

  УДК 537.312.7


            


Є складовою частиною документа Микроэлектроника [Текст] / РАН. – 2015. – Т. 44, № 2.



Теми документа






Український Фондовий Дім Інформаційно-пошукова система
'УФД/Бібліотека'