Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету
эпитаксия МОС-гидридная
Документи:
- Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGa/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов [Текст] / П. В. Булаев, О. И. Говорков, Т. Д. Залевский [et al.] // Квантовая электроника. – 2002. – 32, № 3. – 216-218.
- Формирование резких границ раздела В эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs|n-GaAs методом МОС -гидридной эпитаксии [Текст] / Н. М. Вакив, С. И. Круковский, С. Ю. Ларкин [и др.] // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2014. – № 2-3. – С. 61-66.
- Линейки импульсных лазерных диодов спектрального диапазона 1.5-1.6 мкм на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур AlGaInAs/InP [Текст] / П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин [и др.] // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 9. – С. 822-823.
- Мощные импульсные лазерные диоды спектрального диапазона 1.5-1.6 мкм [Текст] / П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин [и др.] // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 9. – С. 819-821.
- Непрерывные мощные лазерные линейки спектрального диапазона 750-790 нм [Текст] / Н. С. Дегтярева, С. А. Кондаков, Г. Т. Микаелян [и др.] // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 6. – С. 509-511.
- Квантовый каскадный лазер, получаемый методом МОС-гидридной эпитаксии [Текст] / И. И. Засавицкий, Д. А. Пашкеев, А. А. Мармалюк [и др.] // Квантовая электроника. – 2010. – Т. 40, № 2. – С. 95-97.
- Мощные импульсные лазерные излучатели спектрального диапазона 850-870 нм на основе гетероструктур с узкими и широкими волноводами [Текст] / М. А. Ладугин, Ю. П. Коваль, А. А. Мармалюк [и др.] // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 5. – С. 407-409.
- Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs ([ламбда] = 808 нм) с повышенной температурной стабильностью [Текст] / А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, А. Ю. Андреев [и др.] // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 10. – С. 895-897.
- Полупроводниковые AlGaInAs / InP-лазеры со сверхузкими волноводами [Текст] / А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, П. В. Горлачук [и др.] // Квантовая электроника. – 2017. – Т. 47, № 3. – С. 272-274.
|
