Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету
епітаксія, эпитаксия
Підтеми:
Документи:
- Андреев, В. М. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов [Текст] / В. М. Андреев, Л. М. Долгинов, Д. Н. Третьяков. – М. : Сов. радио, 1975. – 328 с.
- Асеев, А. Л. Физика и технология гетероструктур III-V: современное состояние и тенденции развития [Текст] / А. Л. Асеев, О. П. Пчеляков, А. И. Торопов // Изв.ВУЗов.Физика. – 2003. – 46, № 6. – 21-26.
- Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна [Текст] / Н. М. Вакив, С. И. Круковский, Д. М. Заячук [и др.] // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2010. – № 3. – С. 50-53.
- Вигдорович, Е. Н. Диффузия цинка при изовалентном замещении в фосфиде галлия [Текст] / Е. Н. Вигдорович // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2014. – № 6. – С. 3-8.
- Дзундза, Б. С. Особливості розсіювання носіїв струму в епітаксійних плівках телуриду свинцю [Текст] / Б. С. Дзундза // Фізика і хімія твердого тіла. – 2007. – 8, № 2. – 287-290.
- Дранчук, С. Н. Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем [Текст] / С. Н. Дранчук, В. А. Завадский, В. А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2012. – № 5. – С. 48-51.
- Дранчук, С. Н. Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоёв [Текст] / С. Н. Дранчук, В. А. Завадский, В. А. Мокрицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2013. – № 2-3. – С. 58-60.
- Квантовый каскадный лазер, получаемый методом МОС-гидридной эпитаксии [Текст] / И. И. Засавицкий, Д. А. Пашкеев, А. А. Мармалюк [и др.] // Квантовая электроника. – 2010. – Т. 40, № 2. – С. 95-97.
- Каримов, А. В. Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания [Текст] / А. В. Каримов, Д. М. Ёдгорова, Э. Н. Якубов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2008. – № 4. – С. 38-41.
- Епітаксійне формування системи квантових крапок Ge в масиві підкладки Si(100) [Текст] / Ю. Н. Козирев, В. М. Огенко, М. Ю. Рубежанська, О. О. Чуйко // Доповіді НАНУ. – 2002. – № 1. – 76-78.
- Кравченко, А. А. Исследование и разработка реактора эпитаксиального наращивания для индивидуальной обработки подложек [Текст] / А. А. Кравченко, А. И. Погалов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2017. – Т. 21, № 3. – С. 211-219.
- Нишизава, Дж.-И. Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов [Текст] / Дж.-И. Нишизава, Т. Курабаяши // Изв.ВУЗов.Физика. – 2003. – 46, № 6. – 27-34.
- Новосядлый, С. П. Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием [Текст] / С. П. Новосядлый, В. М. Вивчарук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2008. – № 2. – С. 35-39.
- Нанокарбидные процессы при МОС-эпитаксии III-нитридных структур [Текст] / В. И. Осинський, Н. Н. Ляхова, И. В. Масол [и др.] // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. – 2012. – № 1. – С. 62-72.
- Структурні властивості шарів HgCdTe, вирощених методом лазерної епітаксії на підкладках кремнію [Текст] / С. В. Пляцко, М. М. Вергуш, П. М. Литвин [et al.] // Український фізичний журнал. – 2001. – № 3. – 360-364.
- Фреїк, Д. М. Профілі електричних параметрів у тонких плівках халькогенідів свинцю [Текст] / Д. М. Фреїк, Б. С. Дзундза, В. М. Чобанюк // Фізика і хімія твердого тіла. – 2007. – 8, № 4. – 727-732.
- Кінетичні коефіцієнти в області міжфазних меж тонких плівок халькогенідів свинцю у двошаровій моделі Петріца [Текст] / Д. М. Фреїк, Б. С. Дзундза, В. М. Чобанюк [et al.] // Фізика і хімія твердого тіла. – 2008. – 9, № 2. – 247-254.
- Кремниевый сублимационный источник для молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Д. В. Шенгуров // Приборы и техника эксперимента. – 2016. – № 3. – С. 138-141.
- Яфаров, Р. К. Поверхностный фазовый переход на кристаллах кремния (100) при низкотемпературном СВЧ вакуумно-плазменном осаждении [Текст] / Р. К. Яфаров, В. Я. Шаныгин // Микроэлектроника. – 2015. – Т. 44, № 3. – С. 207-219.
- Технология и аппаратура газовой эпитаксии кремния и германия [Текст] / И.М. Скворцов, И.И. Лапидус, Б.В. Орион. – М. : Энергия, 1978. – 135 с.
|
