| |
Полупроводниковые AlGaInAs / InP-лазеры со сверхузкими волноводами [Текст] / А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, П. В. Горлачук [и др.]
// Квантовая электроника. – 2017. – Т. 47, № 3. – С. 272-274.
Созданы лазерные диоды на основе гетероструктур AlGaInAs / InP со сверхузким волноводом. Показано, что применение такого волновода при использовании профильного легирования обеспечивает баланс между внутренними оптическими потерями и тепловым сопротивлением. |
