Електронний каталог науково-технічної бібліотеки Вінницького національного технічного університету
напруга порогова, напряжение пороговое
Документи:
- Балашов, А. Г. Исследование порогового напряжения вертикальной МОП-структуры с использованием методов приборно-технологческого моделирования [Текст] / А. Г. Балашов // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2005. – № 3. – 90-91.
- Глауберман, М. А. Вплив структурних дефектів у приповерхневих шарах кремнію на рухливість носіїв заряду в каналі МОН-транзисторів та порогову напругу [Текст] / М. А. Глауберман, О. А. Кулініч, Н. М. Садова // Український фізичний журнал. – 2002. – 47, № 8. – 779-783.
- Кичак, В. Оцінювання впливу температури на порогову напругу комірки пам'яті на базі аморфних напівпровідників [Текст] / В. Кичак, Н. Курилова, І. Слободян // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій та приладобудування (СПРТП-2011) : матеріали V Міжнародної науково-технічної конференції / МОНМС України, ВНТУ, Вінницька філія ВАТ "Укртелеком". – Вінниця : ВНТУ, 2011. – С. 66-67.
- Кичак, В. М. Оцінювання впливу зовнішніх факторів на параметри бістабільних перемикальних пристроїв на базі аморфних напівпровідників [Текст] / В. М. Кичак, В. Л. Вовк, І. О. Барабан // Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 2021. – № 3. – С. 113-119. – DOI: https://doi.org/10.31649/1997-9266-2021-156-3-113-119.
- Кичак, В. М. Оцінювання впливу зовнішніх факторів на параметри бістабільних перемикальних пристроїв на базі аморфних напівпровідників [Електронний ресурс] / В. М. Кичак, В. Л. Вовк, І. О. Барабан // Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 2021. – № 3. – С. 113-119. – DOI: https://doi.org/10.31649/1997-9266-2021-156-3-113-119.
- Кичак, В. М. Підвищення радіаційної стійкості енергонезалежних запам'ятовувальних пристроїв на базі халькогенідних склоподібних напівпровідників [Текст] / В. М. Кичак, І. В. Слободян, В. Л. Вовк // Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 2019. – № 4 (145). – С. 116-123.
- Кичак, В. М. Підвищення радіаційної стійкості енергонезалежних запам'ятовувальних пристроїв на базі халькогенідних склоподібних напівпровідників [Електронний ресурс] / В. М. Кичак, І. В. Слободян, В. Л. Вовк // Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 2019. – № 4. – С. 116-123.
- Петров, Б. К. Влияние конструктивных параметров на пороговое папряжение наноразмерных р-канальных КНИ МОП-транзисторов [Текст] / Б. К. Петров, А. А. Краснов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2011. – № 3. – С. 40-43.
- Петросянц, К. О. Учет влияния температуры на радиационный сдвиг порогового напряжения МОП-транзистора в системе TCAD [Текст] / К. О. Петросянц, Д. А. Попов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2013. – № 4. – С. 96-97.
|