Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету
MOSFET-транзистор
Документи:
- Владимиров, С. Преимущества технологии SUPERJUNCTION для построения силовых MOSFET [Текст] / С. Владимиров // Электронные компоненты. – 2015. – № 10. – C. 65-68.
- Кругляк, Ю. А. Физика и моделирование нанотранзисторов [Електронний ресурс] / Ю. А. Кругляк. – Электрон. текст. данные. – Одесса : ТЭС, 2018.
- Кругляк, Ю. А. Физика и моделирование нанотранзисторов [Текст] / Ю. А. Кругляк. – Одесса : ТЭС, 2018. – 314 с. – ISBN 978-617-7711-06-2 : 130,00 грн.
- Нил, Масси SMD MOSFETс потерями почти как у GAN FET для мощных систем с жесткой коммутацией [Текст] / М. Нил // Электронные компоненты. – 2017. – № 1. – С. 79-81.
- Рубцевич, И. И. Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа [Текст] / И. И. Рубцевич, Л. П. Ануфриев, А. Ф. Керенцев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2004. – № 5. – 54-55.
- Рязанцев, О. В. Эффективное использование силовых модулей в преобразователе энергии с микропроцессорным управлением [Текст] / О. В. Рязанцев, М. В. Кулик, А. С. Манукян // Известия вузов. Радиоэлектроника. – 2010. – Т. 53, № 8. – С. 55-59.
- Санджай, Хаванур Выбор максимально допустимых напряжений для силовых MOSFET [Текст] / Х. Санджай // Электронные компоненты. – 2015. – № 10. – C. 62-64.
- Семчев, Анатолий Пути развития IGBT/MOSFET транзисторов [Текст] / А. Семчев // Радиокомпоненты. – 2018. – № 1-2. – С. 14-20.
- Сидорович, А. Режим работы MOSFET транзистора при больших токах нагрузки [Текст] / А. Сидорович // Радиокомпоненты. – 2020. – № 3-4. – С. 40-43.
- Хабаров, А. Поведение SiC-каскодов компании USC при переключении [Текст] / А. Хабаров // Электронные компоненты. – 2015. – № 10. – С. 56-60.
- Хендрикс, С. Драйвер верхнего ключа Mosfet [Текст] / С. Хендрикс // Электронные компоненты. – 2015. – № 1. – C. 44-47.
|
