| |
Владимиров, С.
Преимущества технологии SUPERJUNCTION для построения силовых MOSFET [Текст] / С. Владимиров
// Электронные компоненты. – 2015. – № 10. – C. 65-68.
Силовые MOSFET, созданные на основе технологии SUPERJUNCTION, нашли свое применение в высоковольтных импульсных преобразователях. |
