| |
Семчев, А.
Пути развития IGBT/MOSFET транзисторов [Текст] / А. Семчев
// Радиокомпоненты. – 2018. – № 1-2. – С. 14-20.
Постоянные улучшения свойств силовых кристаллов, поиск новых решений и совершенствование существующих технологических процессов приводят к непрерывным эволюционным изменениям характеристик силовых ключей. |
