Електронний каталог науково-технічної бібліотеки Вінницького національного технічного університету
GaAs
Підтеми:
Документи:
- Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si [Текст] / А. Ю. Бончик, И. И. Ижнин, С. Г. Кияк, Г. В. Савицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2005. – № 3. – 3-4.
- Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs [Текст] / Н. М. Вакив, И. Р. Завербный, Д. М. Заячук [et al.] // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2005. – № 3. – 40-45.
- Ефремов, А. М. Кинетика и режимы плазмохимического травления GaAs в условиях индукционного ВЧ разряда в CF_2Cl_2 [Текст] / А. М. Ефремов, Д. Б. Мурин, А. Е. Левенцов // Микроэлектроника. – 2014. – Т. 43, № 6. – С. 429-434.
- Прохоров, Э. Д. Эффективность генерации планарного диода с туннельным анодом и туннельной боковой границей [Текст] / Э. Д. Прохоров, О. В. Боцула, О. А. Реутина // Радіофізика та електроніка. – 2014. – Т. 5 (19), № 3. – С. 71-75.
|