| |
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si [Текст] / А. Ю. Бончик, И. И. Ижнин, С. Г. Кияк, Г. В. Савицкий
// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2005. – № 3. – 3-4.
Представлены результаты исследований влияния режимов ионной имплантации и импульсного некогерентного фотонного отжига на параметры имплантированных Si слоев n-GaAs на подложках полуизолирующего GaAs |
