| |
Ефремов, А. М.
Кинетика и режимы плазмохимического травления GaAs в условиях индукционного ВЧ разряда в CF_2Cl_2 [Текст] / А. М. Ефремов, Д. Б. Мурин, А. Е. Левенцов
// Микроэлектроника. – 2014. – Т. 43, № 6. – С. 429-434.
Проведено исследование кинетики и плазмохимического травления GaAs в условиях индукционного ВЧ разряда в CF_2Cl_2. Подтверждено, что основными химически активными частицами, обеспечивающими травление GaAs, являются атомы хлора. Показано, что характер кинетических кривых и вид зависимостей скорости травления от давления газа определяется энергией ионов, бомбардирующих поверхность. |
