Електронний каталог науково-технічної бібліотеки Вінницького національного технічного університету
осаждение атомно-слоевое
Документи:
- Алябьев, А. Ю. Практические аспекты создания перспективных МДП структур с применением технологии атомно-слоевого осаждения [Текст] / А. Ю. Алябьев, А. С. Коротков // Микроэлектроника. – 2016. – Т. 45, № 4. – С. 243-251.
- Ежовский, Ю. К. Формирование и некоторые свойства нанослоев халькогенидов цинка на полупроводниковых матрицах [Текст] / Ю. К. Ежовский, Н. В. Захарова // Микроэлектроника. – 2016. – Т. 45, № 1. – С. 21-28.
- Кузнецов, В. И. Атомно-слоевое осаждение: реакторы и применение [Текст] / В. И. Кузнецов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2015. – Т. 20, № 4. – С. 365-376.
- Исследование характеристик и особенностей изготовления элементов энергонезависимой памяти FRAM, полученных с использованием процессов атомно-слоевого осаждения [Текст] / О. М. Орлов, А. М. Маркеев, А. В. Зенкевич, А. Г. Черникова // Микроэлектроника. – 2016. – Т. 45, № 4. – С. 280-288.
|