• Класифікатори
• М

МДН-транзистор = МОН-транзистор, МДП-транзистор = МОП-транзистор

Документи:

• Бирюков, С. А. Цифровые устройства на МОП-интегральных микросхемах [Текст] / С. А. Бирюков. – М. : Радио и связь, 1990. – 128с : ил. – (Массовая радиобиблиотека; Вып. 1132). – Библиогр.: с.128. – ISBN 5-256-00220-1.
• Валиев, К. А. Цифровые интегральные схемы на МДП-транзисторах [Текст] / К. А. Валиев, А. Н. Кармазинский, М. А. Королев ; под ред. К. А. Валиева. – Москва : Советское радио, 1971. – 384 с. – 1,15 р.
• Свойства подзатворного окисла p-канальных МДП-транзисторов, сформированных имплантацией ионов BF2+ [Текст] / Н. Н. Герасименко, А. Н. Тарасенков, Е. В. Кузнецов, Э. Ю. Денисенко // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2003. – № 6. – 7-11.
• Глауберман, М. А. Вплив структурних дефектів у приповерхневих шарах кремнію на рухливість носіїв заряду в каналі МОН-транзисторів та порогову напругу [Текст] / М. А. Глауберман, О. А. Кулініч, Н. М. Садова // Український фізичний журнал. – 2002. – 47, № 8. – 779-783.
• Ильин, В. Н. Цифровые схемы и устройства на МДП транзисторах [Текст] / В. Н. Ильин, В. Т. Фролкин. – Москва : Энергия, 1975. – 128 с. – (Библиотека по автоматике). – 0,46 р.
• Ільченко, О. М. Радіовимірювальні прилади на основі оптичних перетворювачів із частотним виходом [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.11.08 захищена 13.04.2012 / Олена Миколаївна Ільченко ; ВНТУ. – Вінниця, 2012. – 21 с.
• Ільченко, О. М. Радіовимірювальні прилади на основі оптичних перетворювачів із частотним виходом [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.11.08 : захищено 13.04.2012 / Олена Миколаївна Ільченко ; ВНТУ. – Вінниця, 2011. – 220 с. – Бібліогр.: с. 177-194.
• Климов, И. В. Автоматизированная установка для исследования характеристик м.д.п.-транзисторов [Текст] / И. В. Климов, Ю. М. Листопадов, Р. А. Яковлев // Приборы и техника эксперимента. – 2004. – № 2. – 166-167.
• Колесницький, О. К. Імпульсний нейронний елемент з "пластичними" синапсами [Текст] / О. К. Колесницький, С. С. Яремчук // ХІІІ Міжнародна конференція з автоматичного управління (Автоматика-2006) : тези доповідей, м. Вінниця, 25-28 вересня 2006 року / НАН України; МОН України. – Вінниця : Універсум-Вінниця, 2006. – С. 405.
• Анализ характеристик субмикронных МДП-транзисторов с периодическим легированием канала для предельных температурных режимов работы [Текст] / А. А. Краснюк, О. М. Орлов, Э. Ф. Имаметдинов, Е. В. Марьина // Микроэлектроника. – 2015. – Т. 44, № 4. – С. 263-268.
• Крижановський, В. Г. Фазові характеристики підсилювача класу Е з різними вихідними ланками [Текст] / В. Г. Крижановський // Радіотехніка. – 2020. – № 202. – С. 183-188.
• Кроуфорд, Р. Схемные применения МОП-транзисторов [Текст] : пер. с англ. / Р. Кроуфорд ; под ред. М. С. Сонина. – Москва : Мир, 1970. – 188 с. – 0,81 р.
• Кругляк, Ю. А. Физика и моделирование нанотранзисторов [Текст] / Ю. А. Кругляк. – Одесса : ТЭС, 2018. – 314 с. – ISBN 978-617-7711-06-2 : 130,00 грн.
• Кругляк, Ю. А. Физика и моделирование нанотранзисторов [Електронний ресурс] / Ю. А. Кругляк. – Электрон. текст. данные. – Одесса : ТЭС, 2018.
• Крупкина, Т. Ю. Анализ распределения заряда в интегральных наноразмерных КМДП-структурах [Текст] / Т. Ю. Крупкина, Д. В. Родионов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2010. – № 4. – С. 89-90.
• Кузнецов, Е. В. Исследование чувствительности pH-сенсоров на основе кремниевых МДП-нанотранзисторов [Текст] / Е. В. Кузнецов, О. В. Чуйко // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2013. – № 3. – С. 53-59.
• Лапин, А. Е. Влияние квантования носителей в поликремниевом затворе на сдвиг порогового напряжения МДП-транзистора [Текст] / А. Е. Лапин, Ю. А. Парменов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2017. – Т. 22, № 2. – С. 171-179.
• Образцов, С. Силовые МДП-транзисторы на основе карбида кремния [Текст] / С. Образцов // Электронные компоненты. – 2007. – № 8. – 33-36.
• Осадчук, В. С. Вольт-амперна характеристика радіовимірювального оптичного перетворювача на основі двох МДН-транзисторів [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, О. М. Ільченко // Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 2010. – № 4. – С. 85-89.
• Фотореактивний ефект в МДН-транзисторних структурах з двостороннім освітленням каналу [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, О. М. Ільченко, С. В. Барабан // Вісник ВПІ. – 2008. – N 4(80). – С. 92-98.
• Осадчук, В. С. Перетворювачі температури на основі МДН-транзисторних структур [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, Н. С. Кравчук // Автоматика-2006: Матеріали XIII міжнародної конференції з автоматичного управління, м. Вінниця, 25-28 вересня 2006 року. - Вінниця: УНІВЕРСУМ-Вінниця, 2007. – С. 180-185.
• Осадчук, В. С. Перетворювач температури на основі МДН-транзисторних структур [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, Н. С. Кравчук // ХІІІ Міжнародна конференція з автоматичного управління (Автоматика-2006) : тези доповідей, м. Вінниця, 25-28 вересня 2006 року / НАН України; МОН України. – Вінниця : Універсум-Вінниця, 2006. – С. 188.
• Осадчук, В. С. Математична модель мікроелектронного частотного перетворювача з вологочутливим МДН-конденсатором [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, Л. В. Крилик // Вісник Вінницького політехнічного інституту : Науковий журнал / МОН України. – Вінниця : ВДТУ, 2003. – № 2(47). – С. 100-105.
• Осадчук, В. С. Частотний перетворювач тиску з активним індуктивним елементом на основі двостокового МДН тензотранзистора [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, Я. О. Осадчук // Вісник Хмельницького національного університету. – 2014. – № 6. – С. 144-147.
• Осадчук, О. В. Математичне моделювання структури з від'ємним опором на основі двозатворного мдн-транзистора [Текст] / О. В. Осадчук, О. І. Державець, М. Г. Тарновський // Вісник ВПІ. – 1998. – № 3. – С. 59-62.
• Осадчук, О. В. Вологочутливий двозатворний МДН-транзистор [Текст] / О. В. Осадчук, А. Ю. Савицький // Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 2010. – № 6. – С. 93-96.
• Осадчук, О. В. Радіовимірювальний перетворювач вологості на основі вологочутливого МДН-транзистора [Текст] / О. В. Осадчук, А. Ю. Савицький // Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 2011. – № 5. – С. 167-171.
• Осадчук, О. В. Радіовимірювальний сенсор вологості на основі двозатворного вологочутливого МДН-транзистора [Текст] / О. В. Осадчук, А. Ю. Савицький // Вимірювання, контроль та діагностика в технічних системах ( ВКДТС-2011 ) : Перша міжнародна наукова конференція пам'яті професора Володимира Поджаренка : збірник тез доповідей / МОНМС України, ВНТУ. – Вінниця : ВНТУ, 2011. – С. 66.
• Подлепецкий, Б. И. Влияние светового излучения на параметры отклика интегральных сенсоров водорода [Текст] / Б. И. Подлепецкий, М. Ю. Никифорова, С. В. Гуменюк // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2002. – № 6. – 44-47.
• Савицький, А. Ю. Радіовимірювальні перетворювачі вологості на основі МДН-структур [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.11.08 / Антон Юрійович Савицький ; ВНТУ. – Вінниця, 2013. – 24 с.
• Савицький, А. Ю. Радіовимірювальні перетворювачі вологості на основі МДН-структур [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.11.08 : захищена 24.05.2013 / Антон Юрійович Савицький ; ВНТУ. – Вінниця, 2013. – 190 с. – Бібліогр.: с.162-174.
• Соловьев, А. В. Повышение пробивного напряжения n-МОП-транзисторов для радиационно стойких КНС КМОП БИС [Текст] / А. В. Соловьев, Т. Ю. Крупкина, А. А. Романов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2016. – Т. 21, № 6. – С. 583-585.