| |
Свойства подзатворного окисла p-канальных МДП-транзисторов, сформированных имплантацией ионов BF2+ [Текст] / Н. Н. Герасименко, А. Н. Тарасенков, Е. В. Кузнецов, Э. Ю. Денисенко
// Изв.ВУЗов.Электроника. – 2003. – № 6. – 7-11.
Приведены результаты исследований электрических параметров подзатворного окисла p-канальных МДП-транзисторов. При формировании областей сток-исток использовался ион BF2+ |
