Електронний каталог науково-технічної бібліотеки Вінницького національного технічного університету
структура диодная
Документи:
- Камалов, А. Б. Влияние активных воздействий на свойства арсенидгаллиевых диодных структур с барьером шоттки [Текст] / А. Б. Камалов // Изв.ВУЗов.Радиоелектроника. – 2008. – 51, № 2. – С. 31-43.
- Мещеряков, С. А. К вопросу об эквивалентности воздействия мощных сверхвысокочастотных импульсов и видеоимпульсов различной полярности на полупроводниковые диодные структуры [Текст] / С. А. Мещеряков // Радиотехника и электроника. – 2014. – Т. 59, № 2. – С. 184-194.
- Мурыгин, В. И. Барьерная емкость диодных структур на основе компенсированных полупроводников с глубокими примесными уровнями [Текст] / В. И. Мурыгин, В. В. Лосев, В. Б. Гундырев // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2003. – № 4. – 13-19.
- Влияние режимов формирования на свойства ионно-кремниевых диодных структур [Текст] / Р. В. Рыжук, Н. И. Каргин, Б. А. Билалов, В. А. Гудков // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2009. – № 5. – С. 7-14.
- Тогатов, В. В. Прибор для регистрации переходных характеристик быстродействующих диодных струтур [Текст] / В. В. Тогатов, П. А. Гнатюк // Приборы и техника эксперимента. – 2005. – № 1. – С. 81-85.
|