| |
Мурыгин, В. И.
Барьерная емкость диодных структур на основе компенсированных полупроводников с глубокими примесными уровнями [Текст] / В. И. Мурыгин, В. В. Лосев, В. Б. Гундырев
// Изв.ВУЗов.Электроника. – 2003. – № 4. – 13-19.
Показано, что для компенсированного полупроводника с глубокими примесными уровнями неравновесная плотность объемного заряда в уравнении Пуассона можно заменить эффективной равновесной плотностью объемного заряда |
