| |
Акустична емісія та зміни люмінесцентних і електричних характеристик гетероструктур InGaN/GaN при струмовому навантаженні [Текст] / В. П. Велещук, О. І. Власенко, О. В. Ляшенко [et al.]
// Фізика і хімія твердого тіла. – 2008. – 9, № 1. – 169-174.
Показано, що кількість джерел акустичної емісії в гетероструктурах при протіканні критичних густин постійного прямого струму залежить від температури та значно збільшується з ростом температури |
