Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету

ПРАВИЛА КОРИСТУВАННЯ ЕК
          Атомные механизмы релаксации упругих напряжений в гетероэпитаксиальной структуре Cu/Ni(001) [Текст] / О. С. Трушин, А. Н. Куприянов, С.-Ч. Инг [и др.]
    // Микроэлектроника. – 2015. – Т. 44, № 6. – С. 459-463.

   Методом молекулярной статики, с использованием многочастичных потенциалов "погруженного атома" ЕАМ, исследованы механизмы релаксации упругих напряжений в гетероэпитаксиальной системе Cu/Ni(001). Рассмотрены процессы зарождения дефектов.

  УДК 621.382+538.913


            


Є складовою частиною документа Микроэлектроника [Текст] / РАН. – 2015. – Т. 44, № 6.



Теми документа






Український Фондовий Дім Інформаційно-пошукова система
'УФД/Бібліотека'