• Класифікатори
• М

МДН-структура (структура метал–діелектрик–напівпровідник), МДП-структура (структура металл–диэлектрик–полупроводник)

Документи:

• Баранов, В. В. Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами [Текст] / В. В. Баранов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2005. – № 5. – 42-46.
• Войцеховский, А. В. Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4 [Текст] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, Н. А. Кульчицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2005. – № 4. – 39-42.
• Жарких, Ю. С. Транспортний і квантовий часи релаксації двовимірних електронів у МДН-структурах на кремнії [Текст] / Ю. С. Жарких, С. В. Лисоченко, О. В. Третяк // Український фізичний журнал. – 2003. – 48, № 5. – С. 473-476.
• Караханян, Э. Р. Динамические элементы ЭВМ со структурой МДП [Текст] / Э. Р. Караханян. – М. : Сов. радио, 1979. – 254 с.
• Кемерчев, Г. П. Исследование эффекта накопления заряда в пленках поликристаллического кремния МДПДП-структур при импульсной фотонной обработке [Текст] / Г. П. Кемерчев // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2003. – № 2. – 79-83.
• Исследование электрофизических свойств МДП-структур с пленками нитрида кремния, легированными редкоземельнымиэлементами [Текст] / А. А. Ковалевский, А. С. Строгова, Н. С. Строгова, Н. В. Бабушкина // Микроэлектроника. – 2014. – Т. 43, № 4. – С. 250-255.
• Ланцов, А. Л. Цифровые устройства на комплементарных МДП интегральных микросхемах [Текст] / А. Л. Ланцов, Л. Н. Зворыкин, И. Ф. Осипов. – М. : Радио и связь, 1983. – 272с.
• Осадчук, В. С. Визначення вольт-амперної характеристики вологочутливого перетворювача на основі комплементарної МДН-структури [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, Л. В. Крилик // Вісник ВПІ. – 2004. – № 5. – С. 97-102.
• Осадчук, В. С. Математична модель вологочутливого елемента на основі МДН-конденсатора [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, Л. В. Крилик // Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 2003. – № 1(46). – С. 81-84.
• Осадчук, В. С. Фізична модель вологочутливого елемента на МДН-структурі [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, Л. В. Крилик // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. – 2002. – 1(3). – С. 137-145.
• Осадчук, В. С. Радіовимірювальні перетворювачі вологості на основі МДН-структур [Текст] : монографія / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, А. Ю. Савицький ; ВНТУ. – Вінниця : ВНТУ, 2016. – 152 с. – ISBN 978-966-641-649-3 : 41,60 грн.
• Осадчук, В. С. Дослідження впливу температури на інерційні властивості "електронно-діркової плазми" в каналі мдн-структури [Текст] / В. С. Осадчук, В. Ф. Яремчук, Н. С. Кравчук // Вісник ВПІ. – 1998. – № 4. – С. 82-85.
• Рязанцев, Д. В. Экстракция параметров наноразмерных МДП-структур путем расчета вольт-фарадных характеристик [Текст] / Д. В. Рязанцев, В. П. Грудцов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2014. – № 5. – С. 51-57.
• Савицький, А. Ю. Радіовимірювальні перетворювачі вологості на основі МДН-структур [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.11.08 : захищена 24.05.2013 / Антон Юрійович Савицький ; ВНТУ. – Вінниця, 2013. – 190 с. – Бібліогр.: с.162-174.
• Савицький, А. Ю. Радіовимірювальні перетворювачі вологості на основі МДН-структур [Текст] : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.11.08 / Антон Юрійович Савицький ; ВНТУ. – Вінниця, 2013. – 24 с.
• Свойства стуктур металл-диэлектрик-полупроводник [Текст] / А.В.Ржанов, Т.Е.Ковалевская, И.Г.Неизвестный; Отв. ред. А.В.Ржанов. – М. : Наука, 1976. – 279 с.