• Класифікатори
• P

p-n-перехід, p-n-переход

Підтеми:

• p-n-переход кремниевый

Документи:

• Simulation of the depth of the melted layer on the surface of a semiconductor using Java cross-platform application [Електронний ресурс] / O. V. Galochkin, D. I. Uhryn, E. V. Vatamanitsa, I. V. Vsoltys // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. – 2022. – № 1. – P. 76-81. – DOI: https://doi.org/10.31649/1681-7893-2022-43-1-76-81.
• Simulation of the depth of the melted layer on the surface of a semiconductor using Java cross-platform application [Текст] / O. V. Galochkin, D. I. Uhryn, E. V. Vatamanitsa, I. V. Vsoltys // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. – 2022. – № 1 (43). – P. 76-81. – DOI: https://doi.org/10.31649/1681-7893-2022-43-1-76-81.
• Азаров, О. Д. Модель операції порівняння при аналого-цифровому перетворенні з прогресуючим набором тривалостей тактів урівноваження [Текст] / О. Д. Азаров, О. О. Решетнік, В. А. Гарнага // Інформаційні технології та комп'ютерна інженерія. – 2008. – N 3(13). – С. 5-13.
• Балашов, А. М. Экспоненциальная коррекция нелинейности температурного коэффициента напряжения p-n-перехода для прецизионных источников опорного напряжения [Текст] / А. М. Балашов, С. В. Селищев // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2002. – № 5. – 40-44.
• Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом [Текст] / И. М. Викулин, Ш. Д. Курмашев, Р. Г. Сидорец, Ю. Г. Туманов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2003. – № 4. – 46-49.
• Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p-n-переходами [Текст] / А. Б. Гниленко, В. А. Дзензерский, С. В. Плаксин, Л. М. Погорелая // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2012. – № 1. – С. 26-29.
• Головко, А. Г. Изменения низкочастотных шумов в p-n переходах при низких температурах [Текст] / А. Г. Головко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2004. – № 2. – 10-13.
• Головяшкин, А. Н. Варикап на основе сверхрезкого p-n-перехода [Текст] / А. Н. Головяшкин, В. А. Соловьев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2001. – № 1. – 28-30.
• Исследование эффекта внутреннего усиления на планарных (p+-n-n+) структурах из высокоомного кремния [Текст] / С. А. Голубков, Ю. Б. Гуров, К. Н. Гусев [et al.] // Приборы и техника эксперимента. – 2004. – № 6. – 84-95.
• Грушко, Н. С. Определение механизма токопереноса в p-n-переходах по анализу температурной зависимости прямых вольт-амперных характеристик [Текст] / Н. С. Грушко, А. В. Лакалин, А. И. Сомов // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2007. – № 2. – 35-40.
• Денисова, Е. А. Влияние конструктивных параметров и управляющих напряжений на фотоэлектрические характеристики фотоячейки с тремя вертикально интегрированными p-n-переходами [Текст] / Е. А. Денисова, В. В. Уздовский, В. И. Хайновский // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2012. – № 4. – С. 18-23.
• Денисова, Е. А. Управление и считывание сигналов в фотоячейке с вертикально интегрированными р-п-переходами [Текст] / Е. А. Денисова, В. В. Уздовский, В. И. Хайновский // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2011. – № 5. – С. 48-53.
• Денисова, Е. А. Фотоэлектрические процессы в многоканальных спектрозональных фотоячейках с вертикально интегрированными p - n-переходами для фотоэлектрических преобразователей изображения с разделением цветов [Текст] / Е. А. Денисова, В. В. Уздовский, В. И. Хайновский // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2011. – № 3. – С. 35-39.
• Денисова, Е. А. Шумы в спектральных многоканальных фотоячейках для фотоприемников с разделением цветов с вертикально интегрированными p-n-переходами [Текст] / Е. А. Денисова, В. В. Уздовский, В. И. Хайновский // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2017. – Т. 22, № 1. – С. 20-27.
• Епифанцев, К. А. Анализ влияния температуры на импульсную электрическую прочность КМОП-микросхем [Текст] / К. А. Епифанцев, П. К. Скоробогатов, О. А. Герасимчук // Микроэлектроника. – 2015. – Т. 44, № 1. – С. 49-53.
• Особенности электрических характеристик n+ - p-перехода на основе узкозонных полупроводников [Текст] / Л. А. Косяченко, И. М. Раренко, А. В. Марков, С. Э. Остапов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2001. – № 3. – 11-14.
• Круковский, С. И. Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs [Текст] / С. И. Круковский, Ю. Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2004. – № 6. – 23-26.
• Лукин, К. А. Вольтамперная характеристика и наведенный ток во внешней цепи лавинно-генераторных диодов на основе обратносмещенных резких P-N-переходов [Текст] / К. А. Лукин, П. П. Максимов // Радіофізика та електроніка. – 2015. – Т. 6(20), № 4. – С. 45-53.
• Лукин, К. А. Терагерцовые автоколебания в инжекционном p-n-переходе с постоянным обратным смещением [Текст] / К. А. Лукин, П. П. Максимов // Известия вузов. Радиоэлектроника. – 2010. – Т. 53, № 8. – С. 16-22.
• Максимов, П. П. Интермодуляционные компоненты активного элемента СВЧ сместителя на основе обратно смещенного резкого p-n-перехода [Текст] / П. П. Максимов // Прикладная радиоэлектроника. – 2015. – Т. 14, № 3. – С. 217-221.
• Максимов, П. П. Отрицательная дифференциальная проводимость лавинно-генераторных диодов на основе обратно смещенных резких p-n-переходов [Текст] / П. П. Максимов, К. А. Лукин // Прикладная радиоэлектроника. – 2015. – Т. 14, № 3. – С. 210-216.
• Осадчук, В. С. Дослідження впливу оптичного випромінювання на параметри p-n переходу [Текст] / В. С. Осадчук, В. М. Носолюк, В. Ф. Яремчук // Вісник ВПІ. – 1996. – № 3. – С. 63-65.
• Осадчук, В. С. Математична модель частотного магнітного перетворювача на основі польових транзисторів з керувальним p-n переходом [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук // Вісник ВПІ. – 2000. – № 2. – С. 77-81.
• Устюжанинов, В. Н. Релаксационные процессы в р-п-переходах при импульсном гамма-облучении в режиме обратного смещения генератором тока [Текст] / В. Н. Устюжанинов, Т. Н. Фролова, М. В. Якунина // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2000. – № 2. – 57-62.
• Чудаков, И. М. Частотная модуляция с помощью емкостей p-n-переходов [Текст] / И. М. Чудаков. – Москва : Связь, 1968. – 108 с. – 0,40 р.
• Шварц, Ю. М. Микроэлектронные термодиодные сенсоры экстремальной электроники [Текст] / Ю. М. Шварц, М. М. Шварц // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2005. – № 3. – 30-33.