| |
Особенности электрических характеристик n+ - p-перехода на основе узкозонных полупроводников [Текст] / Л. А. Косяченко, И. М. Раренко, А. В. Марков, С. Э. Остапов
// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2001. – № 3. – 11-14.
Рассмотрены особенности распределения объемного заряда, напряженности электрического поля и потенциала в p-n-переходе в узкозонном полупроводнике |
