Електронний каталог науково-технічної бібліотеки Вінницького національного технічного університету
легирование ионное
Документи:
- Беспалов, В. А. Формирование высоколегированных p+-областей GaAs, AlGaAs с использованием метода импульсного фотонного отжига [Текст] / В. А. Беспалов // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2003. – № 6. – 3-6.
- Двухфотонное межзонное поглощение в кристаллах ниобата бария-стронция [Текст] / П. Г. Зверев, Л. И. Ивлева, А. Я. Карасик [и др.] // Квантовая электроника. – 2012. – Т. 42, № 7. – С. 595-599.
- Кривошеев, Я. М. Ионное легирование как способ контроля оптических свойств некоторых люминофоров [Текст] / Я. М. Кривошеев // Физика и техника высоких давлений. – 2004. – 14, № 3. – 37-41.
- Пошаговый метод ионного легирования кремния в создании интегральных микросхем [Текст] / В. И. Плебанович, А. Р. Челядинский, Ю. Б. Васильев [et al.] // УСиМ. – 2008. – 37, № 3. – 213-218.
- Легирование полупроводников ионным внедрением [Текст] : сборник статей / пер. под ред. В. С. Вавилова, В. М. Гусева. – Москва : Мир, 1971. – 532 с. – 1,90 р.
- Легированные полупроводники [Текст] : сборник статей / АН СССР, ин-т металлургии им. А. А. Байкова. – Москва : Наука, 1975. – 140 с. – 1,90 р.
- Технология ионного легирования [Текст] / под ред. С. Намбы ; пер. с яп. В. Ф. Овчарова ; под ред. проф. П. В. Павлова. – Москва : Советское радио, 1974. – 160 с. – 0,51 р.
|