| |
Беспалов, В. А.
Формирование высоколегированных p+-областей GaAs, AlGaAs с использованием метода импульсного фотонного отжига [Текст] / В. А. Беспалов
// Изв.ВУЗов.Электроника. – 2003. – № 6. – 3-6.
Для создания p+-областей GaAs, AlGaAs исследовано влияние режимов работы ионного легирования и импульсного фотонного отжига на распределение концентрации внедренных примесей по толщине структур |
