Електронний каталог науково-технічної бібліотеки Вінницького національного технічного університету
линейка лазерная
Документи:
- 150-ваттные квазинепрерывные диодные линейки на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с длиной волны 808 нм и улучшенными тепловыми параметрами [Текст] / А. Ю. Абазадзе, В. В. Безотосный, Т. Г. Гурьева [et al.] // Квантовая электроника. – 2001. – 31, № 8. – 659-660.
- Линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs/GaAs с КПД до 70% [Текст] / М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица [и др.] // Квантовая электроника. – 2017. – Т. 47, № 4. – С. 291-293.
- Микаелян, Г. Т. Исследование линеек полупроводниковых лазеров с неустойчивыми резонаторами [Текст] / Г. Т. Микаелян // Квантовая электроника. – 2006. – 36, № 6. – 517-519.
- Тогатов, В. В. Импульсный источник тока для накачки лазерных линеек в системах оптической локации [Текст] / В. В. Тогатов, П. А. Гнатюк // Изв.ВУЗов.Приборостроение. – 2003. – 46, № 6. – 52-55.
- Тогатов, В. В. Высокочастотный разрядный модуль для систем накачки полупроводниковых лазеров [Текст] / В. В. Тогатов, П. А. Гнатюк, Д. Г. Резинкин // Приборы и техника эксперимента. – 2003. – № 5. – 96-100.
|