| |
Линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs/GaAs с КПД до 70% [Текст] / М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица [и др.]
// Квантовая электроника. – 2017. – Т. 47, № 4. – С. 291-293.
Представлены результаты разработки и создания линеек лазерных диодов (лямбда 800 – 810 нм) на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs/GaAs с высоким коэффициентом полезного действия. Повышение внутренней квантовой и внешней дифференциальной эффективности, снижение рабочего напряжения и последовательного сопротивления позволили в совокупности улучшить выходные параметры полупроводникового излучателя, работающего в квазинепрерывном режиме накачки. |
