Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету
линейка лазерных диодов
Документи:
- Абазадзе, А. Эффективность поперечной накачки импульсного твердотельного лазера на Nd: YAC линейками лазерных диодов [Текст] / А. Абазадзе, Г. Зверев, Ю. Колбацков // Квантовая электроника. – 2002. – № 3. – 205-212.
- Квазинепрерывные линейки лазерных диодов мощностью 300 Вт на длине волны 808 нм [Текст] / В. В. Безотосный, А. А. Козырев, Н. С. Кондакова [и др.] // Квантовая электроника. – 2017. – Т. 47, № 1. – С. 5-6.
- Излучатель на эрбиевом стекле с поперечной полупроводниковой накачкой и пассивной модуляцией добротности [Текст] / В. Н. Быков, А. А. Изынеев, А. Г. Садовой [et al.] // Квантовая электроника. – 2008. – 38, № 3. – 209-212.
- Непрерывные мощные лазерные линейки спектрального диапазона 750-790 нм [Текст] / Н. С. Дегтярева, С. А. Кондаков, Г. Т. Микаелян [и др.] // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 6. – С. 509-511.
- Державин, С. И. Когерентное сложение излучения линейки одномодовых лазерных диодов [Текст] / С. И. Державин, О. А. Дюкель, Н. М. Лындин // Квантовая электроника. – 2012. – Т. 42, № 6. – С. 561-564.
- Линейка лазерных диодов с перестраиваемой шириной линии для накачки лазера на рубидии [Текст] / Л. Жиенг, Т. Ронгкуинг, Х. Чэнг, Л. Лин // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 2. – С. 147-149.
- Усиленная люминесценция и выходные характеристики мощных линеек лазерных InGaAs/AlGaAs-диодов [Текст] / В. В. Кабанов, Е. В. Лебедок, А. А. Романенко [и др.] // Квантовая электроника. – 2011. – Т. 41, № 2. – С. 95-98.
- Линейки лазерных диодов на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs ([ламбда] = 808 нм) с повышенной температурной стабильностью [Текст] / А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, А. Ю. Андреев [и др.] // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 10. – С. 895-897.
|
