Електронний каталог науково-технічної бібліотеки Вінницького національного технічного університету
структура транзисторная
Підтеми:
Документи:
- Алиев, Ш. Д. Оптимизация технологии изготовления и сборки кремниевых транзисторных структур [Текст] / Ш. Д. Алиев, В. А. Чернечков, А. Р. Шахмаева // Изв.ВУЗов.Приборостроение. – 2004. – № 7. – 61-62.
- Вернер, В. Д. Конструктивно-технологический базис на основе полностью самосовмещенных структур для терагерцевых БИС [Текст] / В. Д. Вернер, Н. М. Луканов, А. Н. Сауров // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2015. – Т. 20, № 1. – С. 23-30.
- Детекторы терагерцового излучения на основе массивов полевых наногетероструктурных AlGaAs/InGaAs/GaAs транзисторов [Текст] / Д. М. Ермолаев, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2015. – Т. 20, № 5. – С. 481-488.
- Климова, А. В. Особенности нелокального разогрева электронов в транзисторных структурах с субмикронным рельефом поверхности [Текст] / А. В. Климова // Радиотехника. – 2006. – № 3. – 58-61.
- Коноплев, Б. Г. Элементы интегральных схем СВЧ на основе комплементарных связанных квантовых областей [Текст] / Б. Г. Коноплев, Е. А. Рындин, М. А. Денисенко // Микроэлектроника. – 2015. – Т. 44, № 3. – С. 220-227.
- Осадчук, А. В. Исследование и разработка фоточувствительных преобразователей на основе транзисторных структур с отрицательным сопротивлением [Текст] : дис. ... канд. техн. наук : 05.13.08 : защищена 04.07.1996 / Александр Владимирович Осадчук ; ВДТУ. – Винница, 1996. – 183 с. : ил. – Библиогр.: с.152-168.
- Осадчук, В. Магнитореактивный эффект в транзисторных структурах [Текст] / В. Осадчук, А. Осадчук // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій та приладобудування (СПРТП-2011) : матеріали V Міжнародної науково-технічної конференції / МОНМС України, ВНТУ, Вінницька філія ВАТ "Укртелеком". – Вінниця : ВНТУ, 2011. – С. 132-133.
- Осадчук, В. С. Оптичний частотний перетворювач на основі сонячної батареї та транзисторних структур з від'ємним опором [Текст] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, О. М. Ільченко // Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 2011. – № 6. – С. 251-257.
- Анализ средствами TCAD токов утечки 45-нм МОП транзисторной структуры с high-k диэлектриком [Текст] / К. О. Петросянц, Д. А. Попов, Л. М. Самбурский, И. А. Харитонов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2015. – Т. 20, № 1. – С. 38-43.
|