• Класифікатори
• діод, диод

діод резонансно-тунельний, диод резонансно-туннельный

Документи:

• Абрамов, И. И. Идентификация параметров электрической модели резонансно-туннельного диода с помощью комплекса программ EC-RTS-NANODEV [Текст] / И. И. Абрамов, А. В. Королев, И. А. Гончаренко // Изв.ВУЗов.Радиоэлектроника. – 2003. – 46, № 1. – 53-57.
• Дробовой шум быстродействующего резонансно-туннельного диода на основе гетеросистемы GaAs/AlAs [Текст] / Н. В. Алкеев, С. В. Аверин, А. А. Дорофеев [и др.] // Радиотехника и электроника. – 2012. – Т. 57, № 6. – С. 696-704.
• Бежко, М. П. Методика и установка для определения дифференциальной проводимости резонансно-тунельных структур [Текст] / М. П. Бежко, И. Ю. Безотосный // Приборы и техника эксперимента. – 2011. – № 4. – С. 58-61.
• Туннелирование через двухбарьерную туннельно-резонансную гетероструктуру на основе GaN/AIN [Текст] / В. И. Егоркин, Э. А. Ильичев, М. Н. Журавлев [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2013. – № 5. – С. 65-69.
• Егоркин, В. И. Детектирование терагерцевого излучения резонансно-туннельными наногетероструктурами [Текст] / В. И. Егоркин, В. В. Капаев // Микроэлектроника. – 2016. – Т. 45, № 3. – С. 217-226.
• Егоркин, В. Н. Моделирование электронного транспорта в туннельно-резонансных гетероструктурах GaN/AlGaN [Текст] / В. Н. Егоркин, М. Н. Журавлев, В. В. Капаев // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2011. – № 2. – C. 3-8.
• Ибадуллин, М. М. Влияние структурных и электрофизических параметров активной области резонансно-туннельного диода на его вольт-амперную характеристику [Текст] / М. М. Ибадуллин, А. Г. Пащенко // Радиотехника. – 2016. – Вып. 184. – С. 170-177.
• Кременецкая, Я. А. Резонансно-туннельные диоды при больших смещениях напряжения [Текст] / Я. А. Кременецкая, В. Е. Чайка, Г. Е. Чайка // Зв'язок. – 2004. – № 1. – С. 60-62.
• Малышев, К. В. Фигурные сверхрешетки в классической задаче фильтрации сигнала на фоне шума на основе клеточной нелинейной сети [Текст] / К. В. Малышев, А. А. Потапов, С. Л. Чернышев // Радиотехника и электроника. – 2013. – Т. 58, № 4. – С. 367-374.
• Радіотехнічні надвисокочастотні генераторні пристрої на основі резонансно-тунельних напівпровідникових структур із від'ємним диференційним опором [Текст] / А. О. Семенов, Є. О. Дячук, Я. В. Мельник, Є. О. Шейко // Матеріали I Міжнар. наук.-техн. конф. "Сучасні проблеми інфокомунікацій, радіоелектроніки та наносистем (СПІРН-2019)", 14-16 листоп. 2019 р. : з нагоди 50-річчя ФІРЕН / ВНТУ, НТУ "КПІ" ім. І. Сікорського, ХНУР. – Вінниця : ІРВЦ ВНТУ, 2019. – С. 126-127.
• Оптико-електронні радіотехнічні пристрої на основі резонансно-тунельних напівпровідникових структур із від'ємним диференційним опором [Текст] / А. О. Семенов, Я. В. Мельник, Є. О. Дячук, Є. О. Шейко // Матеріали I Міжнар. наук.-техн. конф. "Сучасні проблеми інфокомунікацій, радіоелектроніки та наносистем (СПІРН-2019)", 14-16 листоп. 2019 р. : з нагоди 50-річчя ФІРЕН / ВНТУ, НТУ "КПІ" ім. І. Сікорського, ХНУР. – Вінниця : ІРВЦ ВНТУ, 2019. – С. 128-129.
• Логічні радіоімпульсні пристрої на основі резонансно-тунельних напівпровідникових структур із від'ємним диференційним опором [Текст] / А. О. Семенов, Є. О. Шейко, Я. В. Мельник, Є. О. Дячук // Матеріали I Міжнар. наук.-техн. конф. "Сучасні проблеми інфокомунікацій, радіоелектроніки та наносистем (СПІРН-2019)", 14-16 листоп. 2019 р. : з нагоди 50-річчя ФІРЕН / ВНТУ, НТУ "КПІ" ім. І. Сікорського, ХНУР. – Вінниця : ІРВЦ ВНТУ, 2019. – С. 130-131.
• Яцун, К. С. Вплив структури активної області резонансно-тунельного діоду на критичні точки його вольт-амперної характеристики [Текст] / К. С. Яцун // Радіотехніка. – 2022. – № 208. – С. 65-71.
• Яцун, К. С. Модифікація активної області резонансно-тунельного діоду [Текст] / К. С. Яцун // Радіотехніка. – 2021. – № 205. – С. 108-112.