Предложен и исследован новый тип многослойных полупроводниковых структур (фигурные сверхрешетки), которые могут быть использованы для построения диодных резонансно-туннельных элементов. Рассмотрены преимущества фигурных сверхрешеток по сравнению со структурами с эталонными нелинейными вольт-амперными характеристиками применительно к классической задаче фильтрации на основе клеточной нелинейной сети. Показана возможность проектирования принципиально новых, а именно, фрактальных клеточных нелинейных сетей.