• Класифікатори
• Г

гетероперехід, гетеропереход

Підтеми:

• гетероперехід анізотипний
• гетеропереход неидеальный
• гетеропереход объемный
• гетеропереход симметричный

Документи:

• Alekperov, A. S. ObtainingObtaining Ge–GeS:Nd Heterojunction and Research of Current–Voltage Curve [Текст] / A. S. Alekperov, A. E. Nabiyev, T. M. Aydinova // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. – 2021. – Т. 19, № 1. – С. 45-52.
• Исследование некоторых технологических параметров выращивания гетероструктур типа In-As-In-As1-xSbx и перспективы их применения [Текст] / Т. И. Бабюк, О. С. Шевчук, В. М. Бурдейный, С. Г. Авдеев // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. – 2001. – № 2. – С. 110-113.
• Оцінка можливості одержання гетероструктур на основі InAs(1-x)Sb(x)-InAs з шириною забороненої зони -0,08 eB [Текст] / Т. І. Бабюк, В. М. Бурдейний, О. С. Шевчук, С. Г. Авдєєв // Вісник ВПІ. – 2002. – № 3. – С. 101-105.
• Изменение собственного шума усилителя на биполярном транзисторе с гетеропереходом в нелинейном режиме [Текст] / А. М. Бобрешов, Л. И. Аверина, А. В. Хрипушин, Д. А. Макаренко // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2007. – № 4. – 15-20.
• Борщак, В. А. Компьютерная обработка изображений, полученных при помощи сенсора на базе гетероперехода CdS-Cu_2S [Текст] / В. А. Борщак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2012. – № 3. – C. 18-20.
• Войцеховский, А. В. Пороговые характеристики инфракрасных детекторов на основе гетеропереходов GeSi/Si [Текст] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, С. Н. Несмелов // Изв.ВУЗов.Физика. – 2003. – 46, № 4. – 26-28.
• Горбацевич, А. А. Микроскопическая теория симметричных гетеропереходов [Текст] / А. А. Горбацевич, О. В. Жабицкий // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2005. – № 2. – 3-10.
• Едгорова, Д. М. Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами [Текст] / Д. М. Едгорова, А. В. Каримов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2005. – № 5. – 27-30.
• Закордонець, В. С. Розрахунок термоелектричної системи охолодження світлодіодів [Текст] / В. С. Закордонець, Н. В. Кутузова // Термоелектрика. – 2018. – № 5. – С. 41-51.
• Кадушкин, В. И. Магнитотемпературный фактор в межподзонной релаксации 2D-электронов сильнолегированного гитероперехода AlGaAs(Si)GaAs [Текст] / В. И. Кадушкин // Изв.ВУЗов.Физика. – 2000. – 52-57.
• Кадушкин, В. И. Разогрев 2D-электронов в скрещенных магнитном и электрическом полях [Текст] / В. И. Кадушкин // Изв.ВУЗов.Физика. – 2004. – 47, № 6. – 16-21.
• Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs-nGaAs последоватеельно соедененными потенциальными барьерами [Текст] / А. В. Каримов, Д. М. Едгорова, Ф. А. Гиясова, Л. Х. Зоирова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2008. – № 3. – С. 52-58.
• Каримов, А. Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки-Мотта [Текст] / А. Каримов, Д. Едгорова, Р. Саидова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2008. – № 1. – 27-30.
• Катеринчук, В. М. Гетероперехід GaSe - InSe із властивостями структур напівпровідник - тонкий діелектрик - напівпровідник [Текст] / В. М. Катеринчук, М. З. Ковалюк, М. В. Товарніцький // Український фізичний журнал. – 2000. – № 1. – 87-91.
• Ковалюк, З. Д. Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения [Текст] / З. Д. Ковалюк, В. Н. Катеринчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2004. – № 3. – 7-9.
• Исследование кристаллов Cu_2ZnSnSe_4 и гетеропереходов на их основе [Текст] / Т. Т. Ковалюк, Э. В. Майструк, М. Н. Солован [и др.] // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2018. – № 5-6. – С. 37-43.
• Исследование кристаллов Cu_2ZnSnTe_4 и гетеропереходов на их основе [Текст] / Т. Т. Ковалюк, М. Н. Солован, А. И. Мостовой [и др.] // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2015. – № 5-6. – С. 45-54.
• Кудринский, З. Р. Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка [Текст] / З. Р. Кудринский, З. Д. Ковалюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2012. – № 6. – С. 40-43.
• Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO_2 : Mn/p-CdTe [Текст] / А. И. Мостовой, В. В. Брус, П. Д. Марьянчук, К. С. Ульяницкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2013. – № 1. – C. 45-48.
• Семенов, А. В. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si [Текст] / А. В. Семенов, А. А. Козловский, В. М. Пузиков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2012. – № 5. – С. 27-30.
• Терлецкая, Л. Л. Структуры на основе гетероперехода "кремний-арсенид галлия" для интегральных оптронов [Текст] / Л. Л. Терлецкая, Л. Ф. Калиниченко, В. В. Голубцов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2003. – № 2. – 51-53.