| |
Войцеховский, А. В.
Пороговые характеристики инфракрасных детекторов на основе гетеропереходов GeSi/Si [Текст] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, С. Н. Несмелов
// Изв.ВУЗов.Физика. – 2003. – 46, № 4. – 26-28.
Рассмотрены возможности использования эмиссионных детекторов на основе гетеропереходов p+-GeSi/p-Si в спектральном диапазоне (8-12) мкм |
