Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету
параметр транзистора
Підтеми:
Документи:
- Свойства подзатворного окисла p-канальных МДП-транзисторов, сформированных имплантацией ионов BF2+ [Текст] / Н. Н. Герасименко, А. Н. Тарасенков, Е. В. Кузнецов, Э. Ю. Денисенко // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2003. – № 6. – 7-11.
- Кузнєцов, Ф. К. Теплові параметри транзисторів і їх вимірювання [Текст] / Ф. К. Кузнєцов. – К. : Техніка, 1966. – 133 с.
- Ліщинська, Л. Б. Експериментальний метод визначення параметрів одноперехідного транзистора [Текст] / Л. Б. Ліщинська, А. Г. Шведюк, М. А. Філинюк // Вісник Вінницького політехнічного інституту. – 2008. – № 6. – С. 137-140.
- Ложников, А. П. Каскадные схемы на транзисторах [Текст] / А. П. Ложников, Е. К. Сонин. – Москва : Энергия, 1969. – 144 с. – (Библиотека по радиоэлектронике). – 0,40 р.
- Романов, Р. И. Двухвходовая восьмитранзисторная статическая запоминающая ячейка с улучшенной помехоустойчивостью [Текст] / Р. И. Романов, А. С. Коротков // Радиотехника и электроника. – 2014. – Т. 59, № 11. – С. 1148-1154.
- Філинюк, М. А. Оцінка робочих параметрів однотранзисторних конвеєрів струму [Електронний ресурс] / М. А. Філинюк, О. О. Лазарєв, Л. Б. Ліщинська // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. – 2015. – № 4. – С. 1-10.
|
