Опис документа

Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету

Формуляр

Опис документа

Микроэлектроника [Текст] / РАН. – 2016. – Т. 45, № 4.

Є складовою частиною документа Микроэлектроника [Текст] / РАН. – раз на два місяці.

Складові частини документа:

Тонкопленочный отрицательный электрод на основе композита кремния для литий-ионных аккумуляторов [Текст] / А. А. Айрапетов, С. В. Васильев, Т. Л. Кулова, М. Е. Лебедев // Микроэлектроника. – 2016. – Т. 45, № 4. – С. 305-312.
Алябьев, А. Ю. Практические аспекты создания перспективных МДП структур с применением технологии атомно-слоевого осаждения [Текст] / А. Ю. Алябьев, А. С. Коротков // Микроэлектроника. – 2016. – Т. 45, № 4. – С. 243-251.
Оптимизация режимов ретроградного легирования кармана КНИ МОП-транзисторов СБИС [Текст] / А. В. Амирханов, С. И. Волков, А. А. Глушко, Л. А. Зинченко // Микроэлектроника. – 2016. – Т. 45, № 4. – С. 252-257.
Методика регистрации многократных сбоев в микросхемах памяти большой емкости при воздействии отдельных ядерных частиц [Текст] / А. Б. Боруздина, А. В. Уланова, А. И. Чумаков, А. В. Яненко // Микроэлектроника. – 2016. – Т. 45, № 4. – С. 313-318.
Гольдштейн, Р. В. Особенности кинетики процесса СМР периодических структур при нелинейной зависимости скорости полирования от давления [Текст] / Р. В. Гольдштейн, Т. М. Махвиладзе, М. Е. Сарычев // Микроэлектроника. – 2016. – Т. 45, № 4. – С. 289-297.
Ефремов, А. М. Кинетика нейтральных частиц в плазме HCI и HBr в условиях низких давлений и высоких концентраций электронов [Текст] / А. М. Ефремов // Микроэлектроника. – 2016. – Т. 45, № 4. – С. 298-304.
Мордвинцев, В. М. Исследование процесса образования окисной пленки нанометровой толщины на поверхности нитрида титана методом вторично-ионной масс-спетрометрии [Текст] / В. М. Мордвинцев, В. В. Наумов, С. Г. Симакин // Микроэлектроника. – 2016. – Т. 45, № 4. – С. 258-272.
Исследование характеристик и особенностей изготовления элементов энергонезависимой памяти FRAM, полученных с использованием процессов атомно-слоевого осаждения [Текст] / О. М. Орлов, А. М. Маркеев, А. В. Зенкевич, А. Г. Черникова // Микроэлектроника. – 2016. – Т. 45, № 4. – С. 280-288.
Яфаров, Р. К. Релаксационная модификация морфологии атомно-чистой поверхности кристаллов кремния (100) после СВЧ плазменной обработки [Текст] / Р. К. Яфаров // Микроэлектроника. – 2016. – Т. 45, № 4. – С. 273-279.

Примірники

Місце збереження Кількість В наявностi

804 - ч/з період. видань 1 1

Статистика використання: Видач: 0

Інформаційно-пошукова система
'УФД/Бібліотека'

Електронний каталог науково-технічної бібліотекиВінницького національного технічного університету

Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету