| |
Оптимизация режимов ретроградного легирования кармана КНИ МОП-транзисторов СБИС [Текст] / А. В. Амирханов, С. И. Волков, А. А. Глушко, Л. А. Зинченко
// Микроэлектроника. – 2016. – Т. 45, № 4. – С. 252-257.
Предложена методика оптимизации параметров КНИ МОП-структур, основаная на корректировке режимов формирования карманов активной структуры. В результате получено двукратное увеличение порогового напряжения донного транзистора при сохранении значений параметров верхнего основного транзистора. |
