Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Підтеми:
Документи:
- Создание серии IGBT преобразователей частоты трансформаторного типа для питания промышленных ускорителей электронов [Текст] / М. Э. Вейс, Ю. И. Голубенко, Н. К. Куксанов [и др.] // Электротехника. – 2001. – № 12. – С. 21-24.
- Колпаков, А. IGBT: Физическая сущность и математическая модель [Текст] / А. Колпаков, Е. Карташев // Электронные компоненты. – 2006. – № 8. – 93-99.
- Лоренц, Л. Состояние и направления дальнейшего развития в сфере разработки, производства и применения силовых полупроводниковых приборов [Текст] / Л. Лоренц // Электротехника. – 2002. – № 3. – С. 2-16.
- Павленко, А. В. Влияние защитных цепей силовых полупроводниковых приборов на параметры преобразовательной установки [Текст] / А. В. Павленко, И. В. Васюков, В. С. Пузин // Известия высших учебных заведений. Электромеханика. – 2011. – № 3. – С. 22-28.
- Пряхин, С. Силовые конденсаторы нового поколения HCC HPTM от EPCOS AG [Текст] / С. Пряхин // Электронные компоненты. – 2005. – № 6. – 41-42.
- IGBT Modules [Текст] : Data Book 08.95. – Munshen : Siemens AG, 1994. – 341s.
|
