Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету
контакт омічний, контакт омический
Документи:
- Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A_3B_5 [Текст] / С. Б. Александров, К. М. Крупальник, Н. А. Корнилов, Т. А. Кондратьева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2011. – № 1-2. – C. 49-52.
- Исследование удельного сопротивления омических контактов Au-Ti-Pd-n-Si для лавинно-пролетных диодов [Текст] / В. В. Басанец, В. С. Слепокуров, В. В. Шинкаренко [и др.] // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2015. – № 1. – С. 33-37.
- Болтовец, Н. С. Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах [Текст] / Н. С. Болтовец, В. Н. Иванов, В. М. Ковтонюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2010. – № 5-6. – С. 3-6.
- Дмитрієв, В. С. Багатокомпонентні омічні контакти до GaAs [Електронний ресурс] / В. С. Дмитрієв // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. – 2017. – № 3. – С. 1-6.
- Иващук, А. В. Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия [Текст] / А. В. Иващук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2000. – № 5-6. – 43-45.
- Иващук, А. В. Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия [Текст] / А. В. Иващук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2000. – № 5-6. – 43-45.
- Кудрик, Я. Я. Технология изготовления контактов к карбиду кремния [Текст] / Я. Я. Кудрик, Р. И. Бигун, Р. Я. Кудрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2013. – № 1. – С. 25-35.
- Влияние термообработки на электрофизические свойствах CdZnTe-детекторов гамма-излучения [Текст] / В. Е. Кутний, Д. В. Кутний, А. В. Рыбка [et al.] // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2005. – № 3. – 12-15.
- Марковский, Е. П. Влияние режимов термообработки на удельное сопротивление омического контакта к монокристаллам GaAs p-типа [Текст] / Е. П. Марковский // Изв.ВУЗов.Радиоэлектроника. – 2005. – № 7. – 63-68.
- Матюшин, В. М. Стимулируемая водородом миграция атомов металлов в структурах "металл - полупроводник" [Текст] / В. М. Матюшин, Е. Л. Жавжаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2012. – № 6. – С.44-48.
- Новицкий, С. В. Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP [Текст] / С. В. Новицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2012. – № 4. – С. 32-34.
- Шеремет, В. Н. Метррологические аспекты измерения сопротивления омических контактов [Текст] / В. Н. Шеремет // Известия вузов. Радиоэлектроника. – 2010. – Т. 53, № 3. – С. 3-12.
- Штерн, Ю. И. Технология получения омических контактов к термоэлементам с высокой адгезионной прочностью [Текст] / Ю. И. Штерн, Д. А. Боженарь // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2001. – № 1. – 34-40.
|
