Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету
транзистор гетеропереходный
Документи:
- Адамов, Ю. Ф. Компенсация саморазогрева в SiGe ГБТ [Текст] / Ю. Ф. Адамов, В. П. Тимошенков // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2015. – Т. 20, № 3. – С. 323-326.
- Евдокимов, В. Д. Численное моделирование влияния углерода в активной базе на быстродействие SiGe ГБТ [Текст] / В. Д. Евдокимов, Ю. А. Чаплыгин // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2016. – № 4. – С. 387-390.
- Петросянц, К. О. Влияние параметров слоя кремний-германиевой базы на эффект саморазогрева в структуре гетеропереходного биполярного транзистора [Текст] / К. О. Петросянц, М. В. Кожухов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2015. – Т. 20, № 6. – С. 648-651.
- Петросянц, К. О. Влияние щелевой диэлектрической изоляции на тепловой режим SiGe гетеропереходного биполярного транзистора [Текст] / К. О. Петросянц, Р. А. Торговников // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2011. – № 5. – С. 106-108.
- Петросянц, К. О. Особенности моделирования SiGe:C гетеропереходного биполярного транзистора [Текст] / К. О. Петросянц, Р. А. Торговников // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2009. – № 2. – С. 30-34.
- Попов, В. П. Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем [Текст] / В. П. Попов, В. П. Сидоренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2013. – № 1. – С. 13-18.
|
