Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету
XeCl-лазер
Документи:
- Особенности вынужденного рассеяния излучения XeCL-лазера в гептане [Текст] / В. А. Артюхов, Н. Г. Иванов, В. Ф. Лосев [et al.] // Квантовая электроника. – 2002. – № 8. – 717-721.
- Бакшт, Е. Х. Эффективный длинноимпульсный XeCl-лазер с предимпульсом, формируемым индуктивным накопителем энергии [Текст] / Е. Х. Бакшт, А. Н. Панченко, В. Ф. Тарасенко // Квантовая электроника. – 2000. – 30, № 6. – 506-508.
- Когерентное воздействие на поверхность четырех пучков излучения XeCL-лазера [Текст] / В. И. Бредихин, Ю. К. Веревкин, Э. Я. Дауме [et al.] // Квантовая электроника. – 2000. – 30, № 4. – 333-336.
- Бычков, Ю. И. Кинетика процессов и распределение энергии в электрическом разряде при накачке XeCl-лазера [Текст] / Ю. И. Бычков, С. А. Ямпольская, А. Г. Ястремский // Квантовая электроника. – 2010. – Т. 40, № 1. – С. 28-34.
- Коновалов, И. Н. Влияние степени предыонизации газа на однородность горения объемного разряда и генерацию излучения в широкоапертурном XeCL-лазере [Текст] / И. Н. Коновалов, Н. Н. Коваль, А. И. Суслов // Квантовая электроника. – 2002. – № 8. – 663-668.
- Липатов, Е. И. Аномальное увеличение амплитуды и длительности фототока в алмазе 2-А типа при облучении XeCl-лазером [Текст] / Е. И. Липатов, А. Н. Панченко, В. Ф. Тарасенко // Изв.ВУЗов.Физика. – 2004. – 47, № 2. – 98-99.
- Миськевич, А. И. Спонтанное и вынужденное излучение эксимерных молекул XeCl при накачке газовых смескй Xe-CCL_4 и Ar-Xe-CCL_4 с низким содержанием CCL_4 быстрими электронами и осколками деления урана [Текст] / А. И. Миськевич, Г. Цзиньбо, Ю. А. Дюжов // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 11. – С. 1003-1008.
- Федоров, А. И. XeCl-лазер низкого давления с накачкой продольным разрядом [Текст] / А. И. Федоров // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 10. – С. 898-902.
- Харраче, З. Нестабильность разряда в XeCI*-лазер при высоких давлениях газа [Текст] / З. Харраче, А. Алия, А. Беласри // Квантовая электроника. – 2012. – Т. 42, № 4. – С. 304-309.
|
