Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету
слой эпитаксиальный
Документи:
- Авров, Д. Д. Основные дефекты в слитках и эпитаксиальных слоях карбида кремния. ІІ.Микропоры. Малоугловые границы. Дефекты упаковки [Текст] / Д. Д. Авров, А. О. Лебедев, Ю. М. Таиров // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2015. – Т. 20, № 4. – С. 337-349.
- Батавин, В. В. Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев [Текст] / В. В. Батавин. – М. : Сов. радио, 1976. – 102 с. – (Массовая б-ка инженера. Электроника; 9).
- Формирование резких границ раздела В эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs|n-GaAs методом МОС -гидридной эпитаксии [Текст] / Н. М. Вакив, С. И. Круковский, С. Ю. Ларкин [и др.] // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2014. – № 2-3. – С. 61-66.
- Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p-i-n-структур методом ЖФЭ [Текст] / Н. М. Вакив, С. И. Круковский, В. Р. Тимчишин, А. П. Васькив // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2013. – № 6. – С. 41-45.
- Получение эпитаксиальных слоев кадмий-цинк-теллур на подложках арсенида галлия (310) [Текст] / Д. Н. Придачин, А. К. Гутаковский, Ю. Г. Сидоров [et al.] // Изв.ВУЗов.Приборостроение. – 2004. – № 9. – 30-34.
- Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaAs, легированных кремнием [Текст] / Н. Г. Яременко, М. В. Карачевцева, В. А. Страхов [et al.] // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2008. – № 1. – 10-19.
- Применение методики поверхностной фотоЭДС для контроля качества кремниевых эпитаксиальных слоев на сапфире [Текст] / А. Ф. Яремчук, А. В. Старков, А. В. Заикин [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2013. – № 5. – С. 14-19.
|
