• Класифікатори
• діапазон, диапазон

диапазон спектральный

Документи:

• Формирование и усиление импульсов длительностью 50 пс в гибридной лазерной системе THL-100 [Текст] / С. В. Алексеев, Н. Г. Иванов, М. В. Иванов [и др.] // Квантовая электроника. – 2017. – Т. 47, № 3. – С. 184-187.
• Широкополосные полупроводниковые оптические усилители спектрального диапазона 750-1100 нм [Текст] / Е. В. Андреева, С. Н. Ильченко, М. А. Ладугин [и др.] // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 11. – С. 994-998.
• Кремниевый фотодиод для экстремального ультрафиолетового диапазона спектра с селективным Zr/Si-покрытием [Текст] / П. Н. Аруев, М. М. Барышева, Б. Я. Бер [и др.] // Квантовая электроника. – 2012. – Т. 42, № 10. – С. 943-948.
• Оптические свойства тканей толстой кишки человека в спектральном диапазоне 350-2500 нм [Текст] / А. Н. Башкатов, Э. А. Генина, В. И. Кочубей [и др.] // Квантовая электроника. – 2014. – Т. 44, № 8. – С. 779-784.
• Излучательные параметры и тепловой режим мощных одиночных лазерных диодов спектрального диапазона 980 нм [Текст] / В. В. Безотосный, О. Н. Крохин, В. А. Олещенко [и др.] // Квантовая электроника. – 2014. – Т. 44, № 2. – С. 145-148.
• КМОП-матрица формата 320*240 элементов для спектрального диапазона 3-5 мкм на основе РtSi [Текст] / А. М. Белин, В. И. Золотарев, А. Ю. Никифоров, А. Д. Попов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2015. – Т. 20, № 3. – С. 246-251.
• Войцеховский, А. В. Пороговые характеристики инфракрасных детекторов на основе гетеропереходов GeSi/Si [Текст] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, С. Н. Несмелов // Изв.ВУЗов.Физика. – 2003. – 46, № 4. – 26-28.
• Володин, Е. Б. Моделирование и оптимизация КМОП-структуры с вертикально интегрированными в нее одноконтактными фотодетекторами с разделением цветов видимого спектрального диапазона [Текст] / Е. Б. Володин, Е. А. Игнатьэва, В. В. Уздовский // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2007. – № 6. – С. 18-24.
• Моделирование ватт-амперных характеристик мощных полупроводниковых лазеров с длиной волны излучения 1.5-1.55 мкм [Текст] / П. В. Горлачук, А. В. Иванов, В. Д. Курносов [и др.] // Квантовая электроника. – 2014. – Т. 44, № 2. – С. 149-156.
• Линейки импульсных лазерных диодов спектрального диапазона 1.5-1.6 мкм на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур AlGaInAs/InP [Текст] / П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин [и др.] // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 9. – С. 822-823.
• Мощные импульсные лазерные диоды спектрального диапазона 1.5-1.6 мкм [Текст] / П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, М. А. Ладугин [и др.] // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 9. – С. 819-821.
• Непрерывные мощные лазерные линейки спектрального диапазона 750-790 нм [Текст] / Н. С. Дегтярева, С. А. Кондаков, Г. Т. Микаелян [и др.] // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 6. – С. 509-511.
• Проблемы при измерениях интегральной чувствительности фотоприемников и некоторые пути их решения [Текст] / И. В. Докторович, В. Н. Годованюк, В. Г. Юрьев, В. Г. Житарюк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2015. – № 2-3. – С. 53-60.
• Зверев, П. Г. Лазер на Nd:YVO_4 с внутрирезонаторным ВКР в кристалле Ba WO_4 для безопасности для глаз спектрального диапазона [Текст] / П. Г. Зверев, Л. И. Ивлева // Квантовая электроника. – 2012. – Т. 42, № 1. – С. 27-30.
• Комбинированный параметрический генератор света с непрерывной перестройкой длины волны излучения в спектральном диапазоне 2.5–10.8 мкм [Текст] / Д. Б. Колкер, И. В. Шерстов, Н. Ю. Костюкова [и др.] // Квантовая электроника. – 2017. – Т. 47, № 1. – С. 14-19.
• Высокоэффективные лазеры и усилитель на основе легированных оксидом эрбия световодов с накачкой в оболочку [Текст] / Л. В. Котов, М. Е. Лихачев, М. М. Бубнов [и др.] // Квантовая электроника. – 2012. – Т. 42, № 5. – С. 432-436.
• Мощные импульсные лазерные излучатели спектрального диапазона 850-870 нм на основе гетероструктур с узкими и широкими волноводами [Текст] / М. А. Ладугин, Ю. П. Коваль, А. А. Мармалюк [и др.] // Квантовая электроника. – 2013. – Т. 43, № 5. – С. 407-409.
• Высокоэффективный полупроводниковый оптический усилитель спектрального диапазона 820-860 нм [Текст] / А. А. Лобинцов, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин [и др.] // Квантовая электроника. – 2010. – Т. 40, № 4. – С. 305-309.
• Аналитический метод спектра отражения кожной ткани [Текст] / С. А. Лысенко, М. М. Кугейко, В. А. Фираго, А. Н. Собчук // Квантовая электроника. – 2014. – Т. 44, № 1. – С. 69-75.
• Генерация излучения третьей гармоники в коротковолновом УФ спектральном диапазоне единичной плазмонной наноструктурой [Текст] / П. Н. Мелентьев, А. А. Кузин, А. Е. Афанасьев, В. И. Балыкин // Квантовая электроника. – 2016. – Т. 46, № 5. – С. 414-418.
• Погорельский, С. Л. Выбор спектрального диапазона работы оптико-электронного прибора [Текст] / С. Л. Погорельский, М. В. Пальцев // Изв.ВУЗов.Приборостроение. – 2005. – 48, № 8. – 58-60.
• Комплекс модулей для обеспечения воздушной всепогодной разведки в широком спектральном диапазоне [Текст] / Е. А. Терешин, К. П. Шатунов, Э. А. Демьянов [et al.] // Изв.ВУЗов.Приборостроение. – 2004. – № 9. – 57-61.
• Люминесцентные свойства висмутовых активных ИК центров в стеклах на основе SiO_2 в спектральном диапазоне от УФ до ближнего ИК [Текст] / Е. Г. Фирстова, И. А. Буфетов, В. Ф. Хопин [и др.] // Квантовая электроника. – 2015. – Т. 45, № 1. – С. 59-65.
• Шейшенов, Ж. О. Селективный контроль наличия пламени в котлах со встречным расположением горелочных устройств [Текст] / Ж. О. Шейшенов, С. М. Борзов, В. И. Козик // Теплоэнергетика. – 2009. – № 2. – С. 71-74.