Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету
перенос заряду, перенос заряда
Підтеми:
Документи:
- Возбуждение состояния с переносом заряда как основной механизм фотопотемнения алюмосиликатных световодов, легированных оксидом иттербия [Текст] / К. К. Бобков, А. А. Рыбалтовский, В. В. Вельмискин [и др.] // Квантовая электроника. – 2014. – Т. 44, № 12. – С. 1129-1135.
- Воробьева, Т. А. Комбинированное полевое управление процессом переноса носителей заряда в многослойных полупроводниковых структурах [Текст] / Т. А. Воробьева, Н. Т. Гурин // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2002. – № 5. – 22-30.
- Егоркин, В. И. Исследование акустического переноса заряда в гетероструктурах на основе арсенида галлия [Текст] / В. И. Егоркин, А. К. Мороча, И. П. Казаков // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2003. – № 3. – С. 11-14.
- Емае, Й. Франг Вплив складу та будови комплексів з переносом заряду тіоконазолу на їх спектральні властивості [Текст] / Й. Ф. Емае, М. М. Асмаа, Е. -. Марва // Теоретична та експериментальна хімія. – 2024. – Т. 60, № 2. – С. 126-132.
- Карлова, Г. Ф. Механизм переноса зарядов в излучающих структурах на основе арсенида галлия [Текст] / Г. Ф. Карлова, Л. П. Умбрас, А. В. Ханин // Изв.ВУЗов.Физика. – 2003. – 46, № 3. – С. 34-36.
- Неуструев, В. Б. Электрострикционный механизм образования брэгговской решетки в германосиликатных световодах [Текст] / В. Б. Неуструев // Квантовая электроника. – 2001. – 31, № 11. – С. 1003-1006.
- Вплив технологічних режимів синтезу діоксиду титану на термодинаміку та кінетику електрохімічної інтеркаляції літію [Текст] / Б. К. Остафійчук, І. Ф. Миронюк, І. М. Будзуляк [et al.] // Металлофизика и новейшие технологии. – 2004. – 26, № 8. – 1081-1088.
- Секен, К. Приборы с переносом заряда [Текст] / К. Секен, М. Томпсет ; Пер. с англ. – М. : Мир, 1978. – 327 с.
- Расчет и исследование параметров МДП-варикапа с переносом заряда для СВЧ-устройств L-диапазона [Текст] / Ю. В. Сурин, А. Б. Спиридонов, С. В. Лицоев [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2016. – Т. 21, № 5. – С. 421-428.
- Холкин, В. Ю. Модель барьерного механизма возникновения 1/f-шума в полупроводниковых устройствах [Текст] / В. Ю. Холкин // Изв.ВУЗов.Приборостроение. – 2008. – 51, № 1. – С. 54-58.
|
