Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету
моделирование приборно-технологическое
Документи:
- Балашов, А. Г. Исследование порогового напряжения вертикальной МОП-структуры с использованием методов приборно-технологческого моделирования [Текст] / А. Г. Балашов // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2005. – № 3. – 90-91.
- Еременко, А. Н. Использование двухмерного приборно-технологического моделирования для разработки и оптимизации технологии изготовления КМОП [Текст] / А. Н. Еременко, Н. А. Зайцев, И. М. Романов // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2003. – № 4. – 44-48.
- Моделирование характеристик и оптимизация конструктивно-технологических параметров интегральных магниточувствительных элементов в составе микро- и наносистем [Текст] / А. В. Козлов, А. Ю. Красюков, Т. Ю. Крупкина, Ю. А. Чаплыгин // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2015. – Т. 20, № 5. – С. 489-496.
- Приборно-технологическое моделирование ВАХ и зарядового состояния КНИ полевого датчика Холла [Текст] / М. А. Королёв, А. В. Козлов, А. Ю. Красюков, С. С. Девликанова // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2017. – Т. 21, № 3. – С. 231-237.
- Королев, М. А. Приборно-технологическое моделирование при разработке изделий микроэлектроники и микросистемной техники [Текст] / М. А. Королев, Т. Ю. Крупкина, Ю. А. Чаплыгин // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2005. – № 4-5. – 64-71.
- Крупкина, Т. Ю. Использование пакета ISE TCAD при приборно-технологическом моделировании элементов микросистемной техники [Текст] / Т. Ю. Крупкина // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2003. – № 6. – 32-35.
- Петросянц, К. О. Влияние параметров слоя кремний-германиевой базы на эффект саморазогрева в структуре гетеропереходного биполярного транзистора [Текст] / К. О. Петросянц, М. В. Кожухов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2015. – Т. 20, № 6. – С. 648-651.
- Селецкий, А. В. Исследование возможности формирования охраных областей p-типа легированием примеси индия с помощью средств приборно-технологического моделирования [Текст] / А. В. Селецкий, Н. А. Шелепин // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2012. – № 6. – С. 85-86.
- Соловьев, А. В. Повышение пробивного напряжения n-МОП-транзисторов для радиационно стойких КНС КМОП БИС [Текст] / А. В. Соловьев, Т. Ю. Крупкина, А. А. Романов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2016. – Т. 21, № 6. – С. 583-585.
- Стемпицкий, В. Р. Приборно-технологическое моделирование магниточувствительного сенсора с интегрированным магнитным концентратором [Текст] / В. Р. Стемпицкий, Д. Х. Дао // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2018. – № 3. – С. 15-21.
- Умяшкин, С. В. Международное сотрудничество МИЭТ с компанией Synopsys [Текст] / С. В. Умяшкин, А. А. Миндеева // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2009. – № 4. – С. 84-86.
- Приборно-технологическое моделирование элементов интегральной электроники с повышенной стойкостью к внешним воздействиям [Текст] / Ю. А. Чаплыгин, Т. Ю. Крупкина, А. Ю. Красюков, Е. А. Артамонова // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2016. – № 2. – С. 139-144.
|
