Електронний каталог науково-технічної бібліотеки
Вінницького національного технічного університету
Класифікатори
P
p-канальный транзистор
Документи:
Свойства подзатворного окисла p-канальных МДП-транзисторов, сформированных имплантацией ионов BF2+ [Текст] / Н. Н. Герасименко, А. Н. Тарасенков, Е. В. Кузнецов, Э. Ю. Денисенко // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2003. – № 6. – 7-11.
Николаев, А. В.
Анализ энергопотребления элементов конденсаторно-транзисторной логики методами приборно-технологичного моделирования [Текст] / А. В. Николаев // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2010. – № 5. – С. 66-68.
Петров, Б. К.
Влияние конструктивных параметров на пороговое папряжение наноразмерных р-канальных КНИ МОП-транзисторов [Текст] / Б. К. Петров, А. А. Краснов // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2011. – № 3. – С. 40-43.
Інформаційно-пошукова система
'УФД/Бібліотека'
