• Класифікатори
• носій, носитель

носій заряду, носитель заряда

Підтеми:

• носитель заряда неравновесный

Документи:

• Определение темпа термической генерации неосновных носителей заряда на границе раздела полупроводник - сверхтонкий окисел [Текст] / Е. И. Гольдман, Н. Ф. Кухарская, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева // Приборы и техника эксперимента. – 2011. – № 6. – С. 81-85.
• Горбатый, И. Н. Многопериодное накопление носителей заряда в p-i-n-структуре [Текст] / И. Н. Горбатый // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2001. – № 3. – 22-28.
• Исследование динамики индуцированной лазерным излучением плазмы свободных носителей заряда в монокристаллическом CVD-алмазе методом двухфотонного поглощения [Текст] / Е. В. Ивакин, И. Г. Киселев, В. Г. Ральченко [и др.] // Квантовая электроника. – 2014. – Т. 44, № 11. – С. 1055-1060.
• Кобелева, С. П. Прибор для измерения рекомбинационного времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках [Текст] / С. П. Кобелева, И. М. Анфимов, И. В. Щемеров // Приборы и техника эксперимента. – 2016. – № 3. – С. 91-95.
• Коноплев, Б. Г. Исследование транспорта носителей заряда в связанных квантовых областях [Текст] / Б. Г. Коноплев, Е. А. Рындин // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2008. – № 2. – С. 14-22.
• Осадчук, В. Визначення розподілу концентрації інжектованих носіїв заряду при дії магнітного поля в біполярному транзисторі [Текст] / В. Осадчук, О. Осадчук // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій та приладобудування (СПРТП-2011) : матеріали V Міжнародної науково-технічної конференції / МОНМС України, ВНТУ, Вінницька філія ВАТ "Укртелеком". – Вінниця : ВНТУ, 2011. – С. 134-135.
• Осадчук, В. С. Напівпровідникові діоди [Текст] : Навчальний посібник / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук ; МО і науки України. – Вінниця : ВДТУ, 2002. – 162 с.
• Осадчук, В. С. Напівпровідникові діоди [Електронний ресурс] : Навчальний посібник / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук ; ВДТУ. – Електрон. текстові дані. – Вінниця : ВДТУ, 2002.
• Осадчук, В. С. Мікроелектронний сенсор із частотним виходом для визначення часу життя носіїв заряду методом модуляції провідності в точковому контакті [Електронний ресурс] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, Р. В. Дуда // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. – 2013. – № 4. – С. 1-8.
• Радчук, Н. Б. Бесконтактный метод измерения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках [Текст] / Н. Б. Радчук, А. Ю. Ушаков // Приборы и техника эксперимента. – 2003. – № 3. – С. 112-115.
• Тітов, Ю. В. Термоелектричне нагрівання й охолодження в напівпровідникових структурах: нерівноважні носії заряду (Огляд) [Текст] / Ю. В. Тітов, Ю. Г. Гуревич // Термоелектрика. – 2014. – № 3. – С. 15-23.
• Токій, В. В. Аномальна нелінійна фотогенерація носіїв на поверхні алмазу [Текст] / В. В. Токій, В. І. Тимченко, В. А. Сорока // Український фізичний журнал. – 2002. – № 1. – 73-75.
• Усанов, Д. А. Измерение подвижности и концентрации носителей заряда в арсенид-галлиевом диоде Ганна с помощью ближнеполевого СВЧ-микроскопа [Текст] / Д. А. Усанов, С. С. Горбатов, В. Ю. Кваско // Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2013. – № 2. – С. 77-83.
• Усанов, Д. А. Применение ближнеполевого сканирующего СВЧ-микроскопа для исследования распределения концентрации носителей заряда и электрического поля в арсенид-галлиевом диоде Ганна [Текст] / Д. А. Усанов, С. С. Горбатов, А. В. Фадеев // Радиотехника. XXI век. – 2014. – № 10. – С. 74-77.
• СВЧ-метод измерения подвижности свободных носителей заряда в полупроводниковых структурах [Текст] / Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, А. В. Абрамов, В. А. Поздняков // Изв.ВУЗов.Электроника. – 2004. – № 2. – 76-84.
• Филиппов, В. В. Методика определения удельной электропроводности и подвижности носителей заряда в слоистых полупроводниковых материалах [Текст] / В. В. Филиппов // Приборы и техника эксперимента. – 2007. – № 4. – 136-139.