| |
Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO2-Si [Текст] / З. А. Искендер-заде, М. Р. Ахундов, Э. A. Джафарова, Ш. А. Алиханова
// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2004. – № 2. – 59-61.
Исследование вольт-амперной характеристик и нестационарных переходных процессов; выяснены механизмы эффектов и памяти а Al-SiO2-Si структурах |
